SiGe材料的组分表征研究与退火分析

采用固相扩散法在n-Si(100)衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜。利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术,对薄膜的厚度及组分分布进行了表征,两者具有较好的一致性。分析了退火对薄膜厚度、组分和应变的影响。成功得到了完全驰豫状态的SixGe1-x薄膜,可用于实际器件制作。

SiGe薄膜材料的椭圆偏振光谱研究

采用椭圆偏振光谱(SE)对一系列SiGe样品进行了研究。确定了SixGe1-x层的厚度和组分;对不均匀的SixGe1-x层,沿厚度方向进行了组分梯度的研究,其结果与二次离子质谱(SIMS)的测试有较好的一致性;成功地表征了器件级绝缘体上的硅锗(SGOI)样品的各层结构和SixGe1-x层的组分。