期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
电致发光谱测量β- FeSi_2-Si异质结载流子限制(英文)
1
作者
李成
末益崇
长谷川文夫
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期230-233,共4页
设计了一种将 β FeSi2 颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip π n二极管来确定 β FeSi2 Si异质结的能隙差 .当二极管处于正向偏置时 ,通过Sin p-结注入的电子扩散到 β FeSi2 并由于Si与 β FeSi2 之间的能隙差而受到限制 ,电荷在异质结的...
设计了一种将 β FeSi2 颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip π n二极管来确定 β FeSi2 Si异质结的能隙差 .当二极管处于正向偏置时 ,通过Sin p-结注入的电子扩散到 β FeSi2 并由于Si与 β FeSi2 之间的能隙差而受到限制 ,电荷在异质结的积累反过来阻挡了电子的继续扩散 ,将电子局域化在靠近Sin p-结的 p- Si区 .少子的局域化减少了非辐射复合的途径 ,Si和β FeSi2 的发光增强 ,淬灭速率变慢 ,在室温低电流下仍可得到Si和 β FeSi2 电致发光 .Si和 β FeSi2 发光强度的比率对温度的依存性表明同型异质结对电子限制能力的减弱符合热发射模型 ,由此确定出Si和 β FeSi2 异质结导带带阶差为 0 2eV .
展开更多
关键词
β-FeSi2-Si异质结
电致发光
带阶
载流子限制
下载PDF
职称材料
题名
电致发光谱测量β- FeSi_2-Si异质结载流子限制(英文)
1
作者
李成
末益崇
长谷川文夫
机构
厦门
大学
物理
系
日本国立筑波大学应用物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期230-233,共4页
基金
福建省青年科技人才创新资助项目 (编号 :2 0 0 4J0 2 1)~~
文摘
设计了一种将 β FeSi2 颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip π n二极管来确定 β FeSi2 Si异质结的能隙差 .当二极管处于正向偏置时 ,通过Sin p-结注入的电子扩散到 β FeSi2 并由于Si与 β FeSi2 之间的能隙差而受到限制 ,电荷在异质结的积累反过来阻挡了电子的继续扩散 ,将电子局域化在靠近Sin p-结的 p- Si区 .少子的局域化减少了非辐射复合的途径 ,Si和β FeSi2 的发光增强 ,淬灭速率变慢 ,在室温低电流下仍可得到Si和 β FeSi2 电致发光 .Si和 β FeSi2 发光强度的比率对温度的依存性表明同型异质结对电子限制能力的减弱符合热发射模型 ,由此确定出Si和 β FeSi2 异质结导带带阶差为 0 2eV .
关键词
β-FeSi2-Si异质结
电致发光
带阶
载流子限制
Keywords
β-FeSi2-Si heterojunction
electroluminescence
band offset
carrier confinement
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电致发光谱测量β- FeSi_2-Si异质结载流子限制(英文)
李成
末益崇
长谷川文夫
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部