直流三极溅射法制备CuInS2薄膜

采用直流三极溅射装置制备获得了CuInS_2薄膜,其中溅射靶采用一定面积比的[Cu]/[In]混合靶,反应气体采用CS_2气体.本文中主要研究了0.02 Pa分压反应气体条件下不同面积比的[Cu]/[In]混合靶和沉积基板温度对CuInS_2薄膜结构和成分的影响,其中CuInS_2薄膜制备所用时间为2 h生长的厚度为1—2μm.通过对CuInS_2薄膜的EPMA,X射线衍射测试分析表明,最佳的CuInS_2薄膜可在面积比[Cu]/[In]混合靶为1.4:1和可控温度(150,250和350℃)的条件下制备获得,并且其结构被确认为黄铜矿结构.通过实验结果计算出CuInS_2薄膜层有约为8.9%的C杂质含量.