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薄膜的制造方法及溅射装置
1
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008年第2期25-25,共1页
本发明提供简单易行的制造膜厚倾斜程度大的薄膜的薄膜制造方法及溅射装置。该方法通过使真空室内的成膜工序区和反应工序区在空间上相互分离并通过溅射形成薄膜。在中间薄膜形成工序形成由不完全反应物形成的中间薄膜。该中间薄膜形成...
本发明提供简单易行的制造膜厚倾斜程度大的薄膜的薄膜制造方法及溅射装置。该方法通过使真空室内的成膜工序区和反应工序区在空间上相互分离并通过溅射形成薄膜。在中间薄膜形成工序形成由不完全反应物形成的中间薄膜。该中间薄膜形成工序中,在基板S和靶之间设有使形成的薄膜膜厚均匀的修正板和使形成的薄膜具备对应基板S形成薄膜的面的所需膜厚分布的屏蔽板,在基板S相对修正板和屏蔽板移动的同时形成中间薄膜。在形成最终薄膜的膜组成转化工序中,在反应工序区使中间薄膜和反应性气体的活性基反应,使最终薄膜的膜厚与中间薄膜的膜厚相比有所增加。
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关键词
溅射装置
制造方法
薄膜
反应工序
膜厚分布
屏蔽板
转化工序
膜形成
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职称材料
题名
薄膜的制造方法及溅射装置
1
机构
日本株式会社新柯隆
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008年第2期25-25,共1页
文摘
本发明提供简单易行的制造膜厚倾斜程度大的薄膜的薄膜制造方法及溅射装置。该方法通过使真空室内的成膜工序区和反应工序区在空间上相互分离并通过溅射形成薄膜。在中间薄膜形成工序形成由不完全反应物形成的中间薄膜。该中间薄膜形成工序中,在基板S和靶之间设有使形成的薄膜膜厚均匀的修正板和使形成的薄膜具备对应基板S形成薄膜的面的所需膜厚分布的屏蔽板,在基板S相对修正板和屏蔽板移动的同时形成中间薄膜。在形成最终薄膜的膜组成转化工序中,在反应工序区使中间薄膜和反应性气体的活性基反应,使最终薄膜的膜厚与中间薄膜的膜厚相比有所增加。
关键词
溅射装置
制造方法
薄膜
反应工序
膜厚分布
屏蔽板
转化工序
膜形成
分类号
TQ225.131 [化学工程—有机化工]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
薄膜的制造方法及溅射装置
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008
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职称材料
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