用于AR显示技术的亚波长Al光栅的ICP刻蚀工艺研究

铝材料因其良好的光反射率和低热线性膨胀系数,被广泛应用在增强现实设备的光栅光波导中。采用ULVAC公司生产的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备NE-550对Al材料进行了干法刻蚀工艺的研究。实验中采用SiO_(2)作为刻蚀掩膜,Cl_(2)/BCl_(3)气体作为工艺气体,通过对实验工艺参数的调整,探究了ICP源功率、射频偏压功率、腔体压强以及气体流量对Al的刻蚀速率、与上层掩膜的选择比的影响。最后通过优化工艺参数,得到了底部平整、侧壁垂直的栅槽结构。此研究为亚波长尺度的光栅刻蚀工艺的优化和技术突破提供了参考。