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自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究
1
作者
尚勋忠
松下和征
+4 位作者
井上知也
喜多隆
和田修
保田英洋
森博太郎
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期151-153,共3页
用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变...
用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。
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关键词
砷化铟量子点
氮化
光荧光
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职称材料
题名
自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究
1
作者
尚勋忠
松下和征
井上知也
喜多隆
和田修
保田英洋
森博太郎
机构
湖北
大学
材料科学与
工程
学院
日本神户大学工学部电子电气工程系
日本
神户
大学
工
学部
机械
工程
系
日本
大阪
大学
超高压
电子
显微镜研究中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期151-153,共3页
文摘
用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。
关键词
砷化铟量子点
氮化
光荧光
Keywords
InAs QDs
nitridation
photoluminescence
分类号
TN301 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究
尚勋忠
松下和征
井上知也
喜多隆
和田修
保田英洋
森博太郎
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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