材料科学研究中电子显微学的成功应用

介绍了电子显微学 (包括常规的和高分辨的电子显微学 )在材料科学研究中成功应用的实例 :1贵金属基合金中具有 ABC/BCA/CAB堆垛顺序的 9R晶体结构的测定 ;2 9R和 2 H(hcp)晶体中堆垛无序的表征 ;3堆垛顺序从 9R到 2 H连续变化的严重错排晶体的发现 ;4表明由形变导致的从 9R到 3R(fcc)或 2 H转变的几种堆垛无序状态的发现 ;5奥氏体 (fcc) -马氏体(hcc)界面原子排列的观察和界面附近从 fcc到 bcc过渡点阵连续变化的发现 ;6溅射沉积的富 Ti的 Ti- Ni合金薄膜中一种新的极薄片非平衡相的发现 ,该相在低温热处理时形成 ,能使形状记忆效应有明显改善。文章还对电子显微学的进一步应用提出了建议 ,也对高分辨电子显微学的某些技术问题进行了评论。

Na_2O-Ga_2O_3系相平衡研究

用示差热分析(DTA)和X射线衍射(XRD)方法测定Na_2O—Ga_2O_3(>50mol%Ga_2O_3)系相平衡图结果表明,该二元系中有Na_2OGa_2O_3,2Na_2O 3Ga_2O_3,Na_2O 3Ga_2O_3和Na_2O 5Ga_2O_3四个中间化合物2Na_2O 3Ga_2O_3在温度高于976±8℃时分解为Na_2O Ga_2O_3和Na_2O 3Ga_2O_3 Na_2O Ga_2O_3,Na_2O 3Ga_2O_3和Na_2O 5Ga_2O_3均为异分熔化化合物,其熔化分解温度分别为1382±1℃,1285±5℃和1417±4℃给出了新发现的化合物2Na_2O·3Ga_2O_3和Na_2O_3

内扩散法Nb_3Sn多芯线材的磁化特性研究

研究了内扩散法Nb3Sn多芯线材随温度和磁场变化的磁化曲线及磁化率，绘出了磁化量-磁场-温度（M－H－T）的三维临界曲面，归一化后的磁化曲线基本符合Kramer拟和方程。计算得到的Nb3Sn多芯线材有效直径比芯线的原始几何尺寸要大，其原因在于微观结构中存在着“桥梁”，分析表明，多余的磁滞损耗来自于“桥梁”。交流磁化率X′和X″在给定频率和背景磁场下，随交流振幅的变化很小，在给定交流振幅下，随交流频率的变化而变化，其受到的耦合主要来自于“桥梁”而不是近程效应的耦合。

快速加热和冷却法制备的极细多芯Nb_3A1线材的超导特性

介绍了一种快速加热快速冷却制备接近化学计量比的Nb3A1极细多芯线材的方法用四探针法测定试样的临界温度为17K，用Splitpair型磁体测试了试样随温度和磁场变化的临界电流．归一化后的单位体积钉扎力与所加磁场符合Kramer方程，晶界为可能的磁力线钉扎源由临界电流得到的上临界磁场与温度呈线性关系，外推得到临界温度的计算值与实测值基本一致．

NH_3/H_2O_2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光

用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对用阳极氧化法制成的多孔硅层在１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明，Ｓｉ－Ｏ键和Ｈ－Ｏ键的强度随ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液的腐蚀时间的增加而增加，Ｓｉ－Ｈ键强度则随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升，半高宽变窄，谱峰的长波边明显蓝移。分析研究表明，１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液对多孔硅层有腐蚀作用，多孔硅层表面结构和化学态的变化会影响其光致荧光特性。

轻水堆核电站腐蚀损伤及其对策

本文以世界各国轻水堆所遇到的腐蚀损伤事例为中心,叙述产生这些损伤的原因和防止对策及其今后研究课题。文章指出,轻水堆环境中金属材料的腐蚀损伤发生在材料和作为冷却剂的高温高压水或水蒸汽相接触的部位,主要是BWR—次冷却系统不锈钢管的SCC,PWR蒸汽发生器镍基合金传热管的SCC、耗蚀、凹陷、晶间腐蚀,碳钢给水管的腐蚀疲劳,锆合金燃料包壳管的结节状腐蚀,PCI和控制棒导向管销钉的SCC。文章同时指出了解决这些腐蚀损伤的对策, 文章最后指出,长寿命技术开发,定量掌握轻水堆结构材料的损伤恶化程度,确立正确评价剩余寿命的技术是今后研究的重要课题。

铁基形状记忆合金及其相变特性

通过对铁基形状记忆合金从微米到亚纳米尺度的显微观察，讨论了铁基合金形状记忆效应的机制和特性。大多数有应用前景的铁基形状记忆合金与面心立方到体心四方（ｆｃｃ／ｂｃｔ）和面心立方到密排六方（ｆｃｃ／ｈｃｐ）相变有关。在这些相变体系中，对直接与形状记忆效应有关的应力诱发马氏体相变及其逆相变的模型进行了详细的研究。为取得良好的形状记忆效应，必须满足以下一些条件：（１）对ｆｃｃ／ｂｃｔ相变，ｂｃｔ马氏体的正方度必须大，这样可以降低马氏体内的孪晶界能，使非常细小的相变孪晶贯穿整个马氏体片。马氏体内低的孪晶界能是降低残留在奥氏体与马氏体（Ａ／Ｍ）界面上位错密度的一个重要因素，从而有利于界面的逆向运动。在极端情况下界面没有位错时，会发生热弹性相变。ｂｃｔ马氏体内高的滑移屈服应力是产生能可逆运动界面的另一个因素，这些结论可从加热过程中界面逆向移动后产生位借的详细分析中得出。（２）对ｆｃｃ／ｈｃｐ相变，为获得较好的形状记忆效应，在形变样品中形成均匀分布且非常薄的ｈｃｐ马氏体片是最基本的条件。为产生如此薄的马氏体片，当外力使样品形变时，奥氏体中（原始滑移系）必须存在高密度的层错。提出了一个外加应力时，形成很薄马氏体片的新机制。相?

超强磁场超导电磁铁的开发动向

绪言 强磁场的发生是超导电磁体的主要用途之一。如果仅仅从只要发生强磁场的观点来说,虽然在金属材料技术研究所的强磁场实验室(Tsukuba磁铁实验室)中,超导电磁铁的最高磁场强度已可达到23.