SSRF电子储存环真空室材料电子激发解吸的实验研究

用电子激发方法对SSRF储存环初步选定的真空室材料的动态出气特性进行了实验研究 ,得到了主要解吸气体成分的电子激发解吸系数与电子入射累积剂量的关系 ,对真空室材料经不同表面处理后的电子激发解吸特性进行了比较 ,初步确定了该真空室的表面处理工艺 。

16通道高分辨CAMAC时间数字转换器

介绍一种１６通道高分辨ＣＡＭＡＣ时间数字转换器组件，具有１２位动态范围，其最小时间分辨达２６ｐｓ，１６个通道的总变换时间仅１５μｓ。该组件采用ＣＯＭＭＯＮＳＴＡＲＴ模式，１６个独立的ＳＴＯＰ。该组件有两种读出方式：随机读出和稀疏扫描读出方式。为了简化设计，提高组件的可靠性，在组件中ＴＡＣ部分被设计成一个很小的模块，每个模块包含两路独立ＴＡＣ，组件中共使用了８个这样的ＴＡＣ模块。详细介绍了该１６通道高分辨ＣＡＭＡＣ时间数字转换器组件的原理。

仅由原子散射因子虚部引起的布拉格情况的衍射特征

本文给出任意厚度平板晶体布拉格情况的Ｘ射线动力学衍射通式，并以之详细研究原子散射因子实部为零时晶体对Ｘ射线的衍射特征。

充入气体含水量对超高真空系统排气特性的影响

在未烘烤的超高真空系统中 ,真空室表面所吸附的水蒸汽是影响排气时间及极限真空度的关键因素。通过实验 ,对充入气体中水蒸汽含量及操作方式与真空系统排气特性的关系进行了测试 。

原子吸收限附近Bragg情况的衍射波和透射波的观测

在Ｇａ的Ｋ吸收限附近的强反常散射条件下，测定了ＧａＡｓ（６００）对称Ｂｒａｇｇ情况的衍射波和透射波的摇摆曲线，并将其和Ｘ射线衍射动力学理论的相应计算结果作了比较。

担载Ni_2(C_5H_5)_2(CO)_2催化剂的EXAFS表征

以Ni_2Cp_2(CO)_2(Cp=C_5H_5)为催化剂母体化合物,γ-Al_2O_3,SiO_2为担体制备了担载型镍催化剂,对母体化合物及热分解处理前后的催化剂样品在同步辐射装置上进行了外延X-光精细结构(Extended X-ray Absorpdon Fine Structure)测定,以先进的球面波理论对实验结果进行拟合,标样拟合结果与文献XRD完全一致。催化剂的EXAFS表征结果表明,母体化合物与氧化物担体表面发生了较强的化学作用,镍组分具有较高的分散度,镍在氧化硅表面存在Ni[(O)_8]_n,Ni—Ni两种配位,而在氧化铝表面几乎只存在Ni[(O)s)_n配位,催化剂上Ni—Ni键长比母体化合物Ni—Ni键长增加0.01nm左右,Ni—Ni键的伸长及其配位状态可能对其催化行为有重要影响。

由透射波的摇摆曲线求GaAs中Ga的反常散射因数

利用同步辐射光，在对称Ｌａｕｅ情况下，于Ｇａ的Ｋ吸收限附近，测定了ＧａＡｓ（２００）的衍射波和透射波的摇摆曲线．通过测定的透射波的摇摆曲线和Ｘ射线衍射动力学理论的相应计算结果的定量比较。

氧化物担载Ni(C_5H_5)_2衍生催化剂的EXAFS表征

本文以二茂镍为母体化合物,以氧化铝和氧化硅为担体制备了担载镍催化剂。为了表征其结构特点,对这些催化剂热分解处理前后的样品在日本筑波高能物理研究所(Photon-Factory)的同步辐射加速器BL—10B EXAFS实验站进行了外延x-光精细结构谱测定(透射法)。以单散射球面波理论对实验结果进行了多参数拟合,同时对母体化合物也进行了平行测定和拟合,以验证数据及拟合方法的可靠性。研究结果表明,母体化合物的EXAFS结果与文献XRD相一致;母体化合物与担体表面发生了强烈的化学作用;镍组分在催化剂表面高度分散,氧化铝与Ni(C_5H_5)_2有更强的相互作用形成。Ni[(O)_s]_n(n≈4),近一半的镍原子周围有0.30 nm处的镍原子散射;氧化硅上除Ni[(CO)_s]_n(n≈3)外,在0.30 nm处有配位数为2的非成键Ni原子。

测定温度因子的共振X射线动力学衍射法

提出了一种测定双原子晶体中不同原子温度因子的新方法．利用原子吸收限附近完整晶体共振Ｘ射线动力学衍射的特征，得到了关于温度因子的两个方程．方程中的参数可以由实验和理论计算得到，求解这两个方程便可分别求出两种原子的温度因子．将该方法应用于ＧａＡｓ完整晶体，３００Ｋ时，ＢＧａ＝０．４５７３×１０－２０ｍ２，ＢＡｓ＝０．７３３９×１０－２０ｍ２．该方法可以推广到多原子化合物晶体情形．

吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出

利用同步辐射光源，在Ｇａ和Ａｓ的Ｋ吸收限之间调节入射Ｘ射线的能量时，在对称劳厄情况下，ＧａＡｓ的（２００）衍射峰附近可观测到从ＧａＡｓ的入射面出射的Ｇａ的Ｋ系荧光Ｘ射线．当入射Ｘ射线的能量改变时，荧光曲线的非对称性会发生变化，变化趋势与相应的对称布喇格情况相类似．但是，劳厄情况下的变化不能解释为晶体内部Ｘ射线驻波的波节面相对于ＧａＡｓ（２００）格子面的移动．在劳厄情况下，Ｘ射线驻波的振幅随入射角的变化与结构因子的相位密切相关，因此结构因子的相位变化也会导致荧光曲线的非对称性变化．在假设原子的荧光溢出与该原子所在位置的电场强度成正比的基础上，给出了计算完整晶体在劳厄情况下荧光溢出的公式．