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热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响
被引量:
2
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作者
罗胜耘
谢泉
+8 位作者
张晋敏
肖清泉
金石声
朱林山
闫万珺
陈坤
罗娇莲
Koji Yamada
Kiyoshi Miyake
《贵州大学学报(自然科学版)》
2006年第1期81-85,共5页
作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
关键词
环境半导体材料
Β-FESI2
IBD
退火温度
下载PDF
职称材料
题名
热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响
被引量:
2
1
作者
罗胜耘
谢泉
张晋敏
肖清泉
金石声
朱林山
闫万珺
陈坤
罗娇莲
Koji Yamada
Kiyoshi Miyake
机构
贵州
大学
计算机科学与
工
程学院光电子信息功能
材料
实验室
日本saitama大学机能材料工学科
出处
《贵州大学学报(自然科学版)》
2006年第1期81-85,共5页
基金
湖南省教育厅青年基金(03B006)
湖南省自然科学基金(04JJ3030)
+2 种基金
国家人事部留学归国人员择优资助项目(200403)
贵州省教育厅重点基金(05JJ002)
贵州大学人才引进基金资助项目(04RCJJ001)
文摘
作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
关键词
环境半导体材料
Β-FESI2
IBD
退火温度
Keywords
Environmental semiconductor material
β-FeSi2
Annealing temperature
IBD
分类号
O472.2 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响
罗胜耘
谢泉
张晋敏
肖清泉
金石声
朱林山
闫万珺
陈坤
罗娇莲
Koji Yamada
Kiyoshi Miyake
《贵州大学学报(自然科学版)》
2006
2
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