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AFTEX—3000F型ECR溅射装置
1
作者
小野俊郎
五十岚贤
张先锋
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1991年第3期57-62,35,共7页
电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无...
电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无法实现高质量的薄膜工艺。由于用固体靶溅射,靶材供给容易,进而把上述技术作为基础,开发了ECR溅射技术。
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关键词
溅射装置
ECR溅射
半导体薄膜
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职称材料
题名
AFTEX—3000F型ECR溅射装置
1
作者
小野俊郎
五十岚贤
张先锋
机构
日.アァティ公司
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1991年第3期57-62,35,共7页
文摘
电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无法实现高质量的薄膜工艺。由于用固体靶溅射,靶材供给容易,进而把上述技术作为基础,开发了ECR溅射技术。
关键词
溅射装置
ECR溅射
半导体薄膜
分类号
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AFTEX—3000F型ECR溅射装置
小野俊郎
五十岚贤
张先锋
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1991
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