期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
AFTEX—3000F型ECR溅射装置
1
作者 小野俊郎 五十岚贤 张先锋 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1991年第3期57-62,35,共7页
电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无... 电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无法实现高质量的薄膜工艺。由于用固体靶溅射,靶材供给容易,进而把上述技术作为基础,开发了ECR溅射技术。 展开更多
关键词 溅射装置 ECR溅射 半导体薄膜
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部