MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施，在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中，用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲基镉（ＤＭＣｄ）、二异丙基碲（ＤｉＰＴｅ）和元素汞，采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ），在ＧａＡｓ衬底上生长出了ＭＣＴ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ，比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相，表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。

HgCdTe/CdZnTe的MOVPE生长形貌特性

描述了碲锌镉(CZT)衬底性质对碲镉汞(MCT)薄膜结构的影响,碲锌镉晶片的取向、结晶完整性、缺陷浓度及对碲锌镉晶片的生长前处理都会影响碲镉汞薄膜表面特性,薄膜结构随碲锌镉衬底质量提高而改善。