Sb掺杂K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3无铅压电陶瓷相结构和电学性能的研究

采用传统固相烧结法,在1060℃制备(K_(0.5)Na_(0.5)Nb_(1-x)Sb_xO_3(KNNS,x=0、0.01、0.02、0.03和0.04)无铅压电陶瓷,研究了Sb掺杂对KNN陶瓷物相结构、微观形貌和电学性能的影响。研究结果表明:Sb可以取代钙钛矿结构中B位的Nb位置,Sb取代Nb的最大量为0.03≤x≤0.04,当x=0.04时产生杂相;通过XRD图谱分析表明,x=0时陶瓷为单一的正交相结构,0.02≤x≤0.03时为正交-四方相共存,x=0.04时转变为三方相结构。Sb的掺杂具有细化晶粒的作用,随着Sb含量的增加,晶粒平均尺寸减小,晶粒大小变得均匀,介电性能增强。

CeO_2掺杂KNN-LiNbO_3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究

采用传统固相烧结法制备了0. 98K_(0. 5)Na_(0. 5)NbO_3-0. 02 Li NbO_3-x CeO_2(0.98KNN-0.02LN+x CeO_2)无铅压电陶瓷。研究了不同CeO_2掺杂含量(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04)对0.98KNN-0.02LN陶瓷显微结构和电学性能的影响。研究结果表明:当CeO_2掺杂含量从x=0.00到x=0.01和从x=0.02到x=0.03时,样品出现了正交-四方相转变。当x=0.00和x=0.02时,样品都处于正交与四方两相共存状态。CeO_2少量掺杂时Ce4+完全进入晶格,表现为"受主"掺杂的特性;而大量CeO_2掺杂时,有杂相的生成,主要起到烧结助剂的作用。样品在1080℃下烧结,当掺杂含量为x=0.02时取得最佳的综合性能:d33=104 p C/N,Qm=2201,kp=0.24423,εr=804.2,tanδ=8.748%。