Gate Grounde NMOS器件的ESD性能分析

文章基于0.18μm CMOS工艺制程的1.8V NMOS器件,从工艺的角度并用TLP测试系统对栅极接地的NMOS(GGNMOS)ESD器件进行比较分析。介绍了SAB和ESD注入对GGNMOS的性能影响,影响GGNMOS ESD性能的瓶颈是均匀开启性。在GGNMOS版图等其他特征参数最优的前提下,采用SAB能改善其均匀开启性,从而改进ESD性能。GGNMOS的瞬态触发电压在7V左右,不会造成栅氧可靠性威胁,因此,采用PESD并非必需。

双向可控硅器件在片上静电防护中的应用(英文)

设计了一种用于芯片静电放电(ESD)防护的双向可控硅(DDSCR)器件。该器件具有对称性或非对称性骤回I-V特性,可以用于多种应用场合。器件的最优静电防护性能达到94 V/μm。简洁的器件结构用于输入/输出保护,对内部电路的寄生效应小,人体模型ESD测试达到耐压等级3(超过4 kV)。在多电源芯片的静电防护中,双向可控硅器件可克服普通器件不能胜任的多模式静电事件的发生。首次提出了双向可控硅器件在高速多媒体接口中静电防护和反向驱动保护的应用。

交织Reed-Solomon码在 Gilbert-Elliott信道上的性能评价(英文)

Gilbert-Elliott( GE)信道是一种两状态的 Markov信道 ,它用于对有记忆信道进行建模 .当使用仅纠错译码方法时 ,本文分别采用二阶方法和一阶方法 ,以误字率评价交织 Reed-Solomon( RS)码在简化 GE信道上的性能 .数值结果表明增加交织深度和纠错能力能降低 RS码在