期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于超几何分解的随机运算系统分析方法 被引量:1
1
作者 马承光 仲顺安 +1 位作者 David Lilja 屈若媛 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期355-360,共6页
基于Bernoulli分布的方差及期望传递方程一直是随机运算系统的数学基础,针对这种传统分析方法在实际应用中的不准确性和片面性,该文提出一种全新的数学方法:超几何分解(hypergeometic decomposition),用来解决在更复杂情况下期望与方差... 基于Bernoulli分布的方差及期望传递方程一直是随机运算系统的数学基础,针对这种传统分析方法在实际应用中的不准确性和片面性,该文提出一种全新的数学方法:超几何分解(hypergeometic decomposition),用来解决在更复杂情况下期望与方差在随机运算系统中的传播规律。基于超几何分解,提出4组更加精确的期望及方差传递方程,在数学上证明了随机运算体系更加广泛的适用性,并且通过随机运算系统在图像处理中的应用,提出了基于方差的系统评价方法,相比于传统按位仿真方法,基于方差的系统分析方法具有耗时短、准确和全面的优点。新的方差传递方程首次将随机信号源的类型引入性能分析,证明了具有特定码流长度的随机序列可以使系统性能达到最优。 展开更多
关键词 随机运算系统 方差传递方程 超几何分解 系统评价
下载PDF
基于EKF的集中式融合估计研究 被引量:43
2
作者 葛泉波 李文斌 +1 位作者 孙若愚 徐姿 《自动化学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第6期816-825,共10页
以一类非线性多传感器动态系统为对象,基于扩展Kalman滤波器(Extend Kalman filter,EKF)介绍三种典型非线性集中式融合算法,并以此为基础研究部分线性动态系统融合理论在非线性系统中的推广与完善.首先,利用EKF的一种信息滤波器形式(Ext... 以一类非线性多传感器动态系统为对象,基于扩展Kalman滤波器(Extend Kalman filter,EKF)介绍三种典型非线性集中式融合算法,并以此为基础研究部分线性动态系统融合理论在非线性系统中的推广与完善.首先,利用EKF的一种信息滤波器形式(Extend information filter,EIF)给出测量值扩维融合、测量值加权融合和顺序滤波融合算法公式,进而研究三种非线性融合算法的估计性能比较以及测量值融合更新次序是否满足可交换性.结果表明:当各传感器的测量特性相同时,集中式测量值扩维和测量值加权融合算法的估计精度功能等价;非线性顺序滤波融合与其他两种融合算法之间不再具备线性多传感器系统中估计功能的完全等价特性;在融合精度不变前提下非线性顺序滤波融合中,各传感器观测更新次序不再完全满足可交换性.4个基于纯方位目标跟踪的数值仿真被用来验证文中所得结论的有效性和正确性. 展开更多
关键词 非线性系统 扩展信息滤波 集中式融合 等价性 协方差阵
下载PDF
具有二维状态转移结构的随机逻辑及其在神经网络中的应用 被引量:1
3
作者 季渊 陈文栋 +2 位作者 冉峰 张金艺 David LILJA 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第8期2099-2106,共8页
随机计算是一种特殊的基于概率数据码流的数学计算方法,其优点在于可以采用非常简单的数字逻辑完成复杂数学运算,从而大幅降低硬件实现成本。该文首先讨论了随机计算的基本原理和主要运算逻辑,论述了传统线性状态机的不足,并分析了一种... 随机计算是一种特殊的基于概率数据码流的数学计算方法,其优点在于可以采用非常简单的数字逻辑完成复杂数学运算,从而大幅降低硬件实现成本。该文首先讨论了随机计算的基本原理和主要运算逻辑,论述了传统线性状态机的不足,并分析了一种2维状态转移拓扑结构,推导了通过2维有限状态机实现高斯函数的方法。在此基础上,提出一种随机径向基函数神经网络模型,其硬件实现成本非常低,而性能与传统神经网络相当。两类模式识别实验结果显示,所提出的随机径向基函数神经网络的输出值均方误差与相应结构传统神经网络的差别小于1.3%。FPGA实验结果显示,数据宽度为12位时,随机中间神经元的电路面积仅为传统插值查表结构的1.2%、坐标旋转数字计算方法(CORDIC)的2%。通过改变输入码流长度,该神经网络可以在处理速度、功耗和准确性之间作出平衡,具有应用灵活性,适用于对成本、功耗要求较高的应用如嵌入式、便携式、穿戴式设备。 展开更多
关键词 随机计算 人工神经网络 径向基函数 模式识别
下载PDF
基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备(英文)
4
作者 姜岩峰 王建平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1436-1440,共5页
研究了基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备方法,不同于其他人采用的MBE或MOCVD生长的方法,用离子注入的方法进行材料制备,能够与现有的集成电路工艺相兼容,用这种方法所对应的样品的居里温度320K,高于室温,具有潜在应用的价值... 研究了基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备方法,不同于其他人采用的MBE或MOCVD生长的方法,用离子注入的方法进行材料制备,能够与现有的集成电路工艺相兼容,用这种方法所对应的样品的居里温度320K,高于室温,具有潜在应用的价值.在制备过程中,采用了HNH退火工艺,即退火分为三个阶段,每个阶段对应不同的退火气氛、时间和温度, XRD分析表明,每个阶段都对应不同的结晶结果.另外,对应不同的Fe离子浓度,进行了实验对比,结果表明,当x=0.051的情况下对应最高的居里温度. 展开更多
关键词 自旋电子学 稀磁半导体 退火 居里温度
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部