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GaN激子跃迁的时间分辨光谱学研究 被引量：1
1
作者 陈光德 林景瑜 江红星 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期723-726,共4页
用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的ＧａＮ中自由、束缚激子（ＢＸ）的跃迁，讨论了这些跃迁的光致发光光谱、复合寿命及其与温度的关系，给出了中性施主束缚激子和自由激子（ＦＸ）的辐射复合寿命分别为０．１２... 用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的ＧａＮ中自由、束缚激子（ＢＸ）的跃迁，讨论了这些跃迁的光致发光光谱、复合寿命及其与温度的关系，给出了中性施主束缚激子和自由激子（ＦＸ）的辐射复合寿命分别为０．１２ｎｓ和０． 展开更多
关键词 激子跃迁 时间分辨光谱学 氮化镓 半导体
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