超高纯银的制备研究

采用电解精炼法制备6N超高纯银,考察了银浓度、电流密度、电流分布、反应温度等因素对银粉颗粒大小及纯度的影响,并通过理论分析选择了201、D301弱碱性阴离子树脂进行电解液净化除杂。采用SEM对银粉形貌进行了表征,并用GDMS对银粉杂质成分进行了分析。结果表明,控制电解液中的银含量在500-540 g/L,电流密度600-1000 A/m^2,温度为30-40℃,同极极间距为10 cm,多孔钛网作阴极,可以得到总杂质含量小于1×10^-6的6N超高纯银。

贵金属微接点复合带的工艺优化设计及分析

采用正交实验设计对Ag/CuNi20贵金属微接点复合带进行研究,分析了微接点复合带热轧复合及热处理过程中加热温度、速度、变形量及轧辊温度对复合带的影响。实验结果表明,在材料软化温度以上热轧复合过程中,影响Ag/CuNi20复合微接点带厚度的主要因素是变形量,而加热温度和轧辊温度是影响复合带材硬度的主要因素。从外观质量分析看出,Ag/CuNi20复合带的热轧复合最佳温度为850℃,变形量为25%。Ag/CuNi20复合带经过热处理可调整材料硬度,其中加热温度及轧辊速度对材料硬度的影响比较显著。

高纯致密氧化镁陶瓷的常压和真空烧结

MgO为重要的功能型材料,磁隧道结（MTJ）以MgO薄膜作为势垒层时在室温下具有巨大的隧穿电阻效应。实验采用冷等静压（CIP）工艺将高纯MgO粉末（纯度〉99.99%）压制成相对密度为60%左右的坯体,再在500℃充分煅烧后分别进行常压烧结和真空烧结。通过优化烧结工艺参数,可制备得到用于溅射沉积MgO薄膜的高纯高致密MgO陶瓷靶。为了探讨烧结温度、保温时间、烧结气氛对MgO陶瓷致密化和晶粒生长的影响,对烧结后的MgO陶瓷进行取样,并对试样进行金相（OM）观察、X射线衍射（XRD）测试、断面扫描电镜（SEM）观察。结果表明：与常压烧结气氛相比,真空烧结气氛能明显提高MgO陶瓷的致密度,且在烧结中后期封闭气孔形成后真空烧结的作用更显著;在真空气氛进行1500℃保温4 h烧结,可得到相对密度为99.12%,平均晶粒尺寸11.71μm的高纯MgO陶瓷;真空烧结的MgO陶瓷晶粒尺寸更均匀,尺寸标准差低于4.8μm,晶粒沿（200）方向择优生长的趋势更明显,而常压烧结的MgO陶瓷晶粒尺寸分布范围较广,晶粒的择优生长趋势不明显。

Co_(90)Zr_(7)Ta_(3)三元合金微观组织及磁性能的研究

通过金相组织观察、XRD分析和透磁率检测,研究了Co_(90)Zr_(7)Ta_(3)三元合金微观组织,并通过分析材料组织与透磁率(pass through flux,PTF)变化,得到热机械处理对透磁率的影响。结果表明:真空熔炼制备的Co_(90)Zr_(7)Ta_(3)三元合金有大量枝晶组织,主要包含Co基体和枝晶结构的(Co,Ta)_(11)Zr_(2)。采用轧制及热处理后,合金内部枝晶结构破碎,发生球化。合金中Co基体中的fcc相转变为hcp相,hcp相中(0001)含量的增加提高了靶材透磁率。