双管S型负阻器件的研究

模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）．本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。

双向负阻器件的数值模拟

本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。

晶体三极管β值的测试方法

β代表晶体三极管共发射极直流电流放大系数,β=Ic/I-b。Ic是集电极电流,Ib是基极电流。 当Ic和Vce（集电极-发射极电压）取值不同时β值也略有不同。因此手册上所规定的β值都是在一定的Ic和Vce数值下测得。测试时按图1所示的电路进行。先调节Ec使Vce为规定值,再调节Eb使Ic为规定值。

压力调速行星轮无级变速器调节原理及设计要点

压力调速行星轮无级变速器调节原理及设计要点朝阳无线电元件厂阎廷辉朝阳职工大学方玉琴一、前言机械无级变速器是机械、轻纺、电子等行业常用的调速装置。我国目前使用的机械无级变速器．结构多为滚子平盘式、菱锥锥轮式、钢球锥轮式、多盘式等等。近几年又引进了行星轮...

特殊半导体器件—可控硅浅谈

可控硅现已广范应用于电力、电子线路中 ,根据其特性 。