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普通线性MIMO系统的特征值有效测定
1
作者
MICHAEL
VILISEK
+1 位作者
NEJATOLGAC
张岳
《科教译丛》
2000年第5期2-14,共13页
文章涉及线性MIMO(多输入多输出)系统转换民Frobenius标准型,最终目标是为极点配置过程研究一种新的、能有效计算的方法学。假设有时不变和时变系统,将时不变SISO(单输入单输出)系统的传统极点配置方法推广到两个系统。这是对极...
文章涉及线性MIMO(多输入多输出)系统转换民Frobenius标准型,最终目标是为极点配置过程研究一种新的、能有效计算的方法学。假设有时不变和时变系统,将时不变SISO(单输入单输出)系统的传统极点配置方法推广到两个系统。这是对极点配置能为扩展的独特研究,特别是对过去忽略了复杂公式普及程度的对变MIMO系统。这一方法的优点是不需要特征多项式的系统,原系统的特征值或者已转换系统的特征多项式的系统。这种研究将影响着非线性系统理论,得出了含有时变系数的精确I/O线性化。
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关键词
线性MIMO系统
极点配置
特征值
有效测定
Frobenius标准型
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职称材料
多晶硅薄膜晶体管中的高场效应
2
作者
M.Quinn
P.Migliorato
+4 位作者
C.Reita
A.Pecora
G.Tallarida
G.Fortunate
于宝琪
《科教译丛》
2000年第3期7-11,共5页
由于模拟电路和数字电路的性能强烈地依靠晶体管的输出电阻,所以这些电路的精确模拟要求准确模拟出饱和状态下的输出特性。然而,已经在薄膜晶体管中观察到逐次逼近的偏差,甚至在低于饱和泄漏电压以下。本文研究了非欧姆传导机制对输...
由于模拟电路和数字电路的性能强烈地依靠晶体管的输出电阻,所以这些电路的精确模拟要求准确模拟出饱和状态下的输出特性。然而,已经在薄膜晶体管中观察到逐次逼近的偏差,甚至在低于饱和泄漏电压以下。本文研究了非欧姆传导机制对输出特性的影响,通过一个用于电路模拟器的简单物理模型估算了过电流。该模型然后用于研究多晶硅薄膜晶体管中的高场效应。
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关键词
多晶硅薄膜晶体管
高场效应
非欧姆传导机制
输出特性
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职称材料
多晶硅模拟电路的设计与运行
3
作者
C.Reita
S.Fluxman
于宝琦
《科教译丛》
2000年第6期2-6,共5页
指出了使用多晶硅薄片晶体管组装模拟电路,特别用于运算放大器中。主要叙述了多晶硅的特殊技术性能及其对模拟电路的作用,并论述了两个设计方案在低温条件下获取的结果。
关键词
多晶硅薄片晶体管
模拟电路
电压增益
OPN
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职称材料
题名
普通线性MIMO系统的特征值有效测定
1
作者
MICHAEL
VILISEK
NEJATOLGAC
张岳
机构
不详
本溪冶专·高职专自控系
出处
《科教译丛》
2000年第5期2-14,共13页
文摘
文章涉及线性MIMO(多输入多输出)系统转换民Frobenius标准型,最终目标是为极点配置过程研究一种新的、能有效计算的方法学。假设有时不变和时变系统,将时不变SISO(单输入单输出)系统的传统极点配置方法推广到两个系统。这是对极点配置能为扩展的独特研究,特别是对过去忽略了复杂公式普及程度的对变MIMO系统。这一方法的优点是不需要特征多项式的系统,原系统的特征值或者已转换系统的特征多项式的系统。这种研究将影响着非线性系统理论,得出了含有时变系数的精确I/O线性化。
关键词
线性MIMO系统
极点配置
特征值
有效测定
Frobenius标准型
分类号
TP271.61 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
多晶硅薄膜晶体管中的高场效应
2
作者
M.Quinn
P.Migliorato
C.Reita
A.Pecora
G.Tallarida
G.Fortunate
于宝琪
机构
不详
本溪冶专·高职专自控系
出处
《科教译丛》
2000年第3期7-11,共5页
文摘
由于模拟电路和数字电路的性能强烈地依靠晶体管的输出电阻,所以这些电路的精确模拟要求准确模拟出饱和状态下的输出特性。然而,已经在薄膜晶体管中观察到逐次逼近的偏差,甚至在低于饱和泄漏电压以下。本文研究了非欧姆传导机制对输出特性的影响,通过一个用于电路模拟器的简单物理模型估算了过电流。该模型然后用于研究多晶硅薄膜晶体管中的高场效应。
关键词
多晶硅薄膜晶体管
高场效应
非欧姆传导机制
输出特性
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多晶硅模拟电路的设计与运行
3
作者
C.Reita
S.Fluxman
于宝琦
机构
不详
本溪冶专·高职专自控系
出处
《科教译丛》
2000年第6期2-6,共5页
文摘
指出了使用多晶硅薄片晶体管组装模拟电路,特别用于运算放大器中。主要叙述了多晶硅的特殊技术性能及其对模拟电路的作用,并论述了两个设计方案在低温条件下获取的结果。
关键词
多晶硅薄片晶体管
模拟电路
电压增益
OPN
分类号
TN710.2 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
普通线性MIMO系统的特征值有效测定
MICHAEL
VILISEK
NEJATOLGAC
张岳
《科教译丛》
2000
0
下载PDF
职称材料
2
多晶硅薄膜晶体管中的高场效应
M.Quinn
P.Migliorato
C.Reita
A.Pecora
G.Tallarida
G.Fortunate
于宝琪
《科教译丛》
2000
0
下载PDF
职称材料
3
多晶硅模拟电路的设计与运行
C.Reita
S.Fluxman
于宝琦
《科教译丛》
2000
0
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职称材料
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