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三氟化氮与等离子体工艺 被引量：2
1
作者 俞诚 《低温与特气》 CAS 1991年第4期26-29,共4页
介绍了用NF_2代替传统使用的NH_3制备掺氟低氢等离子增强化学汽相淀积(PECVD)Six Ny:F膜、用NF_3代替CF_4等离子刻蚀超厚氮化硅薄膜的工艺试验条件和结果,对有关实际问题进行了讨论。
关键词 等离子体 三氟化氮 工艺 薄膜
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