减小双极超高速IC尺寸的技术

本文详细叙述了减小双极超高速IC器件的横向尺寸和纵向尺寸的技术,着重在多晶硅基极接触、多晶硅发射极接触、开槽隔离方面作了具体介绍;对八十年代具有代表性的先进双极工艺,如PSA、SICOS、SST、SDK和深槽隔离技术作了详尽的叙述。最后,比较了采用这些工艺所制造的双极器件及电路的性能参数。

聚酰亚胺在专用IC中的应用

本文介绍了聚酰亚胺的主要工艺性能和在专用IC中的应用,如表面钝化,多层布线层间介质和金属化剥离材料等。

集电极扩散隔离工艺

本文介绍集电极扩散隔离工艺的特点,叙述该工艺的实验,并给出用此工艺技术制作的晶体管(β≥100,f_T>1000MHz,BV_(ceo)≥6V)和E/T转换器的结果。

模拟专用集成电路的封装技术

本文介绍了在模拟专用集成电路封装设计中的封装可靠性、技术可行性及其电性能和热性能等,概述了ASIC的主要封装形式:无引线陶瓷芯片载体、阵列式封装、多层封装和大腔体封装以及采用的主要封装技术。最后,简要介绍了我所模拟专用集成电路封装方面的工作。

国外几种半导体新器件的发展概况

本文对一些半导体新器件,如HEMT、HBT、超晶格器件、约瑟夫逊器件、三维器件等,的工作原理,器件结构,工艺技术,器件水平和应用前景进行了评述。

适用于ASIC的高速低功耗逻辑单元

本文介绍一种ECL电路结构形式的ASIC逻辑单元的设计和应用。该单元使用2.5V的电源,内部开关电流设计为0.5mA,逻辑摆幅设计为340mV,输入输出均采用双向互补信号。它具有信息的基本记忆功能,用它进行多级组合配套设计,可制作不同模数的分频器、寄存器和计数器等。设计灵活,功能强,电路速度快,功耗低,仅为具有相同功能的普通ECL电路的1/30。这些电路可用在通讯机、电子控制系统、电子测量系结中作高速数字锁相环,数字信号处理的专用集成电路。

实用线性IC电路模拟系统的开发

本文介绍了可广泛用于IC电路设计的线性IC电路模拟系统。主要叙述了电路模拟软件实用功能设计,新的器件模型的建立;叙述了把电路模拟与实际工艺结合起来的参数提取程序的设计。

详细布线的一种有效线网动态定序算法

本文对详细布线的连线顺序提出一种极为有效的动态定序算法,把串行布线分级进行,从而吸取了串行和并行两种方式的优点,该算法已在DDCR四边通道布线器中用C语言实现。

Al/TiN_xO_yC_z/TiSi_2/Si金属化系统的研究

为了满足集成电路向高密度、高速度和高可靠性发展的需要,特别是浅结和微小区域的欧姆接触的需要,使用多层金属化系统。多层金属化要求低的接触电阻,高可靠性。TiN/TiSi_2是一种很理想的欧姆接触系统。本文对在Si衬底上蒸发Ti膜用注入剂量比较低的N^+注入,经一步热处理同时形成TiN/TiSi_2,再蒸发导电层Al所形成Al/TiN_xO_yC_z/TiSi_2/Si金属化系统的性能做了研究,并且进行了失效分析。认为这种系统实现了低的接触电阻、高可靠性(600℃,1小时性能良好)和简单的制造工艺。

线性ASIC和线性/数字ASIC的CAD/CAT实验性研究

ASIC(Application Specific Integrated Circuits),专用集成电路——随着微电子工业IC制造技术的发展和CAD/CAT工具的成功应用,产品迅速增加,其应用范围已深入到各行各业。线性ASIC,线性/数字混合型ASIC在整个ASIC领域的比例也在迅速增长,应用范围迅速扩大。在ASIC发展过程中,CAD/CAT技术起着关键的作用,国内外有较多的系统可供使用,但要充分发挥作用还需要结合IC制造工艺实践作大量实验性研完工作。本文结合我所具体情况和工作实践,讨论进行线性ASIC和线性/数字混合型ASIC的CAD/CAT实验性研究的内容,并介绍开展的有关工作。

X0044低噪声精密运算放大器

本文简要介绍了国内外低频低噪声半导体器件和集成电路的一些情况;着重描述了我们研制X0044运算放大器所采用的降低1/f噪声的优化电路设计和工艺。研制出的样品,其低频噪声≤30nV(Hz)^(1/2)^(1/2),接近国外同类电路水平。

半导体材料Si与GaAs的发展前景

随着微电子技术向高密集度、高可靠性方向发展,对半导体材料的要求也越来越高。GaAs材料的异军突起,打破了Si材料一统天下的局面。通过对它们的材料特性和器件特性进行比较,我们发现:只有兼二者之长的材料才能满足未来器件的需要。