氮化铝陶瓷的制造及应用

一、前言微电子学的发展趋势是器件多功能化、小型化。器件的复杂性将导致芯片尺寸增大和集成度提高,亦使芯片的功率耗散增加,片子的散热便成为关键问题之一。通过基片散热是一种有效途径。AlN陶瓷由于具有热导率高、热膨胀系数与硅接近、电性能优良、机械性能好、无毒等特性,被认为是最理想的基片材料,因此备受关注。

AIN陶瓷基片应用的局限性

AlN陶瓷作为电子部件一种新型的导热基片,受到世界各国的重视。日、美等国在氮化铝应用市场上一直占主导和领先地位。AlN基片的热导率比Al_2O_3高约10倍,其热胀系数与硅相近,电气绝缘能力强。

中温烧结钛酸钡基X7R瓷料

以Bi_2O_3、CdO和Nb_2O_5为添加剂对钛酸钡陶瓷加以改性,研制出中温烧结X7R瓷料,其ε约为150,R>10^(12)Ω,tgδ≤0.8％。烧结温度低于1150℃,适用于制造独石电容器。

提高中高压陶瓷电容器质量的几点意见

钛酸锶基介质具有优良的介电特性,是制作低损耗,高可靠性中高压陶瓷电容器的优良材料。认真制定并执行合理的工艺制度是制作高质量中高压陶瓷电容器的必要条件。

氮气中烧结的厚膜介质浆料

厚膜铜导体的烧结通常是在惰性气氛中进行的,与其配套的多层布线介质材料也应适合在惰性气氛中烧结。研制的ZnO-Al_2O_3-SiO_2-ZrO_2系介质材料介电常数小(ε<6),损耗角正切低(tgδ<10×10^(-4)),绝缘电阻高(R≥10^(13)Ω),材料烧结后主晶相是立方ZrO_2,适于惰性气氛(如N_2)烧结,可用作铜导体多层布线系统介质材料。

厚膜混合电路中的金属有机浆料

本文报导了一种新型的厚膜介质浆料——金属有机浆料(M-O)。它的问世将使厚膜技术在高速度、高密度混合电路中得到更广泛的应用。

表面组装电子部件的可靠性探索

介绍了在表面组装技术的安装和焊接过程中可能产生的各种缺陷,探索了这些缺陷对电子部件可靠性的影响。分析了焊点最终失效的微观机理,并提出了获得高质量可靠焊点的初步意见。

大型计算机的微组装技术

微组装技术的发展及其应用,对加速计算机的高速、小型和高可靠化起到了极大推动作用。本文简述了微组装技术及其在大型计算机中的作用。着重讨论了大型计算机微组装用基板和LSI安装的新技术。举例介绍了当代几种先进大型计算机的微组装情况。并展望了微组装技术的未来。