微电子技术的发展与社会进步

本文阐述了信息技术在推动当今社会进步中的作用和微电子技术在政治、经济和军事等领域中的重要性,分析了我国传统产业的现状以及在“七·五”期间用微电子技术改造传统产业所得的经验和成绩,提出了针对我国国情抓住机遇振兴中国微电子技术的策略。

如何提高荧光灯电子镇流器的寿命

本文分析了国产高效节能荧光灯电子镇流器普遍存在的黑灯管太快,缩短了灯管寿命及自身寿命短和可靠性差的原因,提出了不同灯管结构采用不同电子镇流器的电路及延长自身寿命,增加可靠性的措施,以达到国际电工委员会 IEC 标准。文章还提出了厚膜块化电子镇流器电路以达到高可靠、长寿命的要求。

消化吸收、开发创新 发展我国电子元件专用设备

在党的“对外开放、对内搞活”的方针指引下,在“六五”、“七五”的十年间,我国电子元件行业引进生产线共用外汇7.3亿美元,其中80%以上用于购置专用设备,这些引进生产线使电子元件行业生产能力和产品质量得到了很大的提高,技术水平普遍达到了八十年代初期国外先进水平,从而大大缩小了与国外的差距,也给企业带来了明显的经济效益,对电子工业发展起到了一定的积极作用。随着电子元件生产线设备引进的同时。

SBR法处理豆制品废水的试验研究

采用SBR法对豆制品废水处理进行了试验研究,就C/N对硝化—反硝化的影响及提高脱氮效果的途径作了讨论。试验结果表明,采用SBR法的最佳运行模式处理,当豆制品废水的COD_(cr)、TN、NH_3-N分别为2000mg/l、470mg/l和465mg/l时,经处理后,其去除率可分别达到96％、85％和98％,出水的COD_(cr)≤90mg/l,TN≤75mg/l,NH_3-N≤9mg/l,脱氮效果显著。

纯绿LED的辐射机理和深能级研究

本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光谱的变化,探讨了影响纯绿LED效率的主要因素.

输水管网震害最危险路随机模糊网络预测方法

输水管网的破坏,会导致地震灾害的严重扩大。输水管网的震害预测,已有运用随机模糊网络进行关键段的分析和管路可靠性的分析方法。本文建议的模糊最危险路(或最可靠路)分析,把管段的可靠性概率,扩展为语言概率,从而可以很好地容纳模糊性,使输水管的震害预测更加合理,为城市抗震防灾服务。

开发立体菜单的一种简易方法

本文介绍了用Turbo C开发立体菜单的一种简易方法,即在彩色立体块上显示彩色立体文字。

新颖线阵电视接收天线

本文扼要介绍了新颖线阵接收天线消除接收障碍的方法、技术、特点及其应用实例。

适合于军用的高性能图形工作站

本文介绍适合于军用的高性能图形工作站的硬件配置、软件结构、图形处理性能、通用处理性能及其测试结果。

CRT显示技术新进展

本文综述了CRT显示技术在HDTV数据显示,航空电子显示和平板型CRT应用领域内的新进展。

人工神经网络新发展

本文主要介绍人工神经网络近期新发展,扼要阐述其机理、结构与模型、算法、特性、应用前景以及发展现状与趋势。

抓住机遇 调整结构 转换机制 迎接挑战

在真空电子行业发展面临重要转折的时候,召开第二届真空电子行业协会会员大会,大家会聚一起,研究协会工作,分析行业面临的形势,共商行业发展大计,是十分必要和及时的。下面结合真空电子行业发展情况,谈几点看法,供参考。

屏蔽室屏蔽效能的确定

定性分析需要屏蔽效能大小而提出具体的屏蔽效能数据,将造成屏蔽室的屏蔽效能保守浪费,或者屏蔽效能达不到屏蔽的要求。为了合理确定屏蔽室所需要的屏蔽效能,文章推荐了定量分析确定屏蔽室需要屏蔽效能的计算公式。

新型热流传感器

本文介绍的是一种用差动热电偶堆检测热敏电阻元件的里外温差来测定热流密度的热流传感器。其特点是结构简单、价格低廉、易于制造,并可进行高密度的测量。图1中,11_1和11_2分别表示由厚度大致相同而导热率各异的材料构成的热敏电阻元件。该热敏电阻元件可按图1所示的连接方式并排在同一平面上,构成一整块热敏电阻元件17。12为平面状差动热电偶堆。此平面状热电偶堆的正、负极两侧均用板材,采用光刻、冲压等加工方式,可使之刻成正极一侧的线束13和负极一侧的线束14。

香港图书馆概况

1990年12月12日至12月20日,我参加了一个考察团对香港的一些图书馆进行了考察。七十年代以后,香港经济迅速发展,香港政府为了适应这种情况,在原有的香港大学和香港中文大学的基础上又先后建立了香港理工学院、香港城市理工学院、香港岭南学院,目前正在筹建香港科技大学,尽管香港人口密集、商店林立、商务频繁,

成都地区挖孔灌注桩端承力桩侧摩阻力取值初探

本文叙述了成都地区首次试验研究人工挖孔灌注桩桩身内力,桩侧摩阻力、端承力、桩端沉降及其相互关系等的情况及结果。

我国集成电路科技攻关的回顾与展望

本文总结了我国“六五”、“七五”期间集成电路科技攻关的经验,提出了我国集成电路发展分二步走的战略方针,规划了“八五”重点攻关的研究项目.

一种检定MWS-672抖晃校准仪抖晃精度的方法

一、原理本方法是将频偏量转变为时间量进行测量,从而达到校高的测量精度。对于中心频率为 f0（见图1a）,调制信号为 F（t）=cosωt（见图1b）,抖晃量为WOW（%）的抖晃信号,其实质虽频偏Δf=f0·WOW（%）的调频信号 f（t）（见图1c）。

硅单晶中硼杂质化学光谱分析与物理检测的对比实验

基于硼的卤化物(BF_3)能与乙腈(CH_3CN)形成稳定的络合物,将试样置于铂金坩埚内加入乙晴作为络合剂,用HF+HNO_3(3:1)在压力溶样器内加温溶解。然后低温蒸发基体硅,杂质溶液转移到平头石墨电极上,交流电弧激发光谱分析。