半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究

本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性.

喷雾显影技术在亚微米制版中的应用研究

阐述了离心式中心喷雾显影工艺技术在精细图形制作中的重要性,实验装置、工作原理、工艺参数选择、实验结果以及在制版中的应用实例。

带磁通变换器的TI系薄膜DC—SQUID

我们在制备了TlBaCaCuO薄膜DC—SQUID的基础上,又研制了平面型带磁通变换器的DC—SQUID。磁通变换器与DC—SQUID制备在同一片薄膜衬底上,避免了分立单片耦合对准的困难.带磁通变换器的DC—SQUID在磁通锁定模式下,在77K温度中,在0～1Hz处测量磁通噪声为4.9×10^(-4)φo/Hz^(1/2),作为磁强计使用,磁场灵敏度提高了6倍。

电子电镀中的选择镀技术

本文简要介绍了电子电镀中各种高速选择镀装置的基本原理和构造,以及各种因素对高速选择镀的影响。评述了高速镀液的选择、要求和操作条件。重点介绍了半导体封装、IC框架、接插件和触点等的镀金和镀银溶液。

一种宽频带低功耗的数字式微波频率合成器

本文介绍的数字式微波频率合成器,采用直接分频锁相方式,使压控振荡器和分频器直接工作在微波频段,其突出特点是输出频率范围宽(750MHz～950MHz频道间隔为50MHz),频率稳度高(-25℃～+50℃内,优于1×10^(-5)),功耗低(<0.7W),电路简单,体积小。本文主要介绍该合成器系统方案设计和工作原理及部分实际电路和测试结果。

直接数字合成技术及应用

直接数字合成DDS 是近年来迅速发展起来的一种新型频率合成技术。它具有超越一个倍频程的频率带宽、连续的相位变换方式、极快的频率切换速度、极高的频率分辨率、极低的相位噪声和优良的寄生特性。本文在综述各种频率合成方法的基础上,主要介绍了DDS 的工作原理、性能特点、应用以及发展状况。

As^+沟道注入硅(100)的损伤、二次缺陷及载流子分布特征

本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜(XTEM)等对150keV As^+沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进行了分析测试.剂量达到1×10^(14)/cm^2时,浅注入区(0-0.2μm)晶格损伤严重,导致沟道注入效应基本消失.沟道深注入区(0.2-0.6μm)形成均匀的轻度损伤.常规退火后,沟道深注入区内的载流子浓度一般不超过2×10^(17)/cm^3,本文称之为沟道注入饱和浓度.还发现沟道注入造成的非晶层比相同剂量下随机注入造成的非晶层略厚一些.退火后残留的二次缺陷仍在原重损伤层与衬底之间的过渡区.

第五代电路安装技术-CAIT

市场的要求促进了电子设备的发展,使电子学进入了全盛时期,“轻薄短小化”这个词形象地表达了电于产品开发的一个重要动向,这就是高密度化.在过去的十年里,上述目的主要是依靠半导体芯片微细加工技术的进步来实现的.目前,IC的大规模化仍以惊人的速度发展着,微机的功能和处理容量也在急剧扩大,在ASIC方面也取得了令人嘱目的进展.可以说,用微细加工技术提高芯片集成规模是高密度安装的第一个层次.

钛酸锶粉末的改性及性能评价

本文利用TEM、SEM、粒度分析及孔径分析等实验手段研究了PEG(Polyethylene Glycol)聚合物对沉淀粒子的作用及粉末的改性。并据此提出了综合评价粉末性能的方法。实验结果表明:PEG的加入对粉末的松装密度(AD)、摇实密度(TD)、Hausner比、比表面积、孔径分布及团聚粒子尺寸等皆有影响。 PEG的分散机制,在低浓度下主要表现为克服范德华力,高浓度下主要表现为位阻效应;同时,随PEG加入量增大,增溶作用会造成较大的软团聚。

用红外微象拟定高可靠器件筛选条件

红外微象技术是测量晶体管结温分布的最先进方法。本文对星用(G)CG462型微波晶体管,进行了不同功率强度与峰值结温分布的测量。由红外热象图取得管芯温度分布形貌,经计算机处理后建立了功率-结温的定量关系,参照最高结温175℃,拟定出合适的高温贮存和直流功耗的筛选条件,既能防止应力不足,又避免过应力失效。实践表明,红外微象技术对星用高可靠器件是非常理想的予筛手段。

一种宽频带低功耗的数字式微波频率合成器

本文介绍的数字式微波频率合成器,采用直接分频锁相方式,使压控振荡器和分频器直接工作在微波频段。其突出特点是输出频率范围宽(750～950MHz),频率稳定度高(-25℃～+50℃内,优于1×10^(-5)),功耗低(<0.7W),电路简洁,体积小。本文主要介绍该微波频率合成器系统方案设计、工作原理及有关电路和测试结果。

高精度多功能热偶电势数字表

概 述 半导体工业用炉热电偶电势的测量大都采用电桥电位差计或数字电压表,使用电桥电位差计测量炉温的方法现在已基本淘汰,而使用数字电压表测温则具有测量连续,读数直观的优点,是现在测温的主要手段。半导体工业用炉温度范围一般为300℃—1400℃,常用的测温热电偶参数见表1。 若测温数字电压表量程为200mV,最小分辩率为±1μV,则已复盖了各类热电偶的最高温度电势范围,并且测温精度<±0.1℃。对于价格昂贵的高精度数字电压表将其仅用于测温显然是一种浪费。基于上述原因我们开发出一种采用大规模集成电路多功能高精度的测温热电偶数字表,使其适用于各类半导体工业用炉的温度测量,并且利用机上的定时器可做升降温、恒温定时控制,带有BCD码输出可做微机温控系统的数字模入这是一种功能专一。

CL—Ⅱ型超声键合机的超声电源和超声振动系统

本文介绍了新研制出的CL—Ⅱ型超声键合机上采用的超声电源和超声振动系统。该机超声电源采用一改进型哈托莱功率振荡器,提供了理想的振动频率,并通过反馈电路在焊接过程中不断作瞬时频率调整以配合换能器之振动频率,实现频率自动跟踪。超声振动系统采用高阻抗压电换能器,并配以放大系数高的圆柱杆复合悬链线形变幅杆,保证了键合质量的稳定性和可靠性。

改善GaAs MESFET输出功率线性的载流子浓度分布设计与制备

经过对GaAs MESFET输出功率及其线性失真的综合分析,提出了无拖尾双峰n^+n载流子浓度分布的最佳设计。用Si离子注入和Be注入埋层方法,以及优化的快速退火技术,满意地制备出所希望的无拖尾双峰n^+n浓度分布。用于DX571功率GaAs MESFET器件时的研究表明,与常规注入分布的器件相比,无拖尾n浓度分布器件在4GHz下测得的1dB增益压缩功率输出增加了0.4W;在输入信号提高50mW情况下增益仍为9dB,漏极效率提高3％,加上n^+注入后饱和压降又下降0.3V,预计其线性输出功率能力将会有进一步改善。

BeO压铸模的设计

一、概述 电子工业的瓷件制品用量比较大,形状也较复杂,随着半导体工业的不断发展,对管壳的要求不断提高。这样一来,对零件的尺寸精度要求也愈来愈高,对我们设计模具的人员来说,不但要保证零件的使用,同时还要便于模具的加工和精度的保证。本文介绍的是Beo压铸模的典型结构。

型材剪切模

在对外加工中,我们曾遇到几种成型钢零件,图1、图2为其中的两种。其要求是将长条的型钢截成要求的长度,截面要整齐、无塌角。 分析图1、图2我们认为在设计剪切模时应重点考虑如下几个问题。 (1)模具结构

利用读者信息反馈 搞好情报效益调查

情报效益是衡量图书情报工作质量的客观标准之一,开展情报效益调查势在必行。作者结合本单位工作实际,初步探讨了情报效益调查情况的现状、存在的问题以及解决的方法。