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题名剥离形成平坦化的精细双层铝布线技术
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作者
张沈军
李婉莹
蔡广超
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机构
机电部第四十七研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期25-27,共3页
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文摘
研究了剥离在平坦化的双层金属布线中的应用情况,采用等离子氮化硅膜为剥离衬底,并将其作为下层铝及台阶的隔离物/填充物.SEM分析表明,通过选取合适的衬底参数及剥离等处理条件,可以形成一个平坦化程度相当好的,低至3μm的精细金属布线结构.电学测试也表明该结构的综合指标能够满足一般电路要求,可以成功地为LSI/VLSI的研制提供可靠的平坦化多层布线技术.
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关键词
剥离
多层布线
集成电路
双层金属
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名光刻胶处理系统的国内外现状
被引量:1
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作者
管慧
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机构
机电部第四十七研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期9-12,共4页
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文摘
光刻胶处理技术及其在半导体器件和集成电路制造中的应用是过去10年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了光刻胶处理系统的基本原理、特点和处理技术,重点介绍了系统的国内外研制现状,最后对系统的发展趋势进行了探讨。
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关键词
光刻胶处理
VLSI
集成电路
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分类号
TN470.5
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名光刻胶处理系统的国内外现状
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作者
管慧
田红
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机构
机电部第四十七研究所
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出处
《电子工业专用设备》
1992年第2期8-12,共5页
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文摘
光刻胶处理技术及其在半导体器件和集成电路制造中的应用是过去十年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了光刻胶处理系统的基本原理、特点和处理技术,重点介绍了系统的国内外研制现状,最后对系统的发展趋势也进行了探讨。
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关键词
光刻胶处理
现状
微细加工
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名微型机发展动态
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作者
赫玉莲
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机构
机电部第四十七研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第3期39-42,共4页
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文摘
1 概述 八十年代是16位微机迅速崛起及发展的年代。那么九十年代将是32位微机工作站迅速崛起和普及的年代。在八十年代末许多计算机公司,如SUN、MIPS、HP-APOLLO、DEC,已经采用了32位微处理器制造工程工作站并推入市场。计算机界的巨人IBM公司也投入了工作站和Unix市场。它最近发表了RS/6000工作站作为第一个产品。
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关键词
微机
工作站
并行处理
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分类号
TP368.1
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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