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非晶硅a-Si:H膜中氢含量的深度分布研究
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作者 彭秀峰 龙先灌 +5 位作者 何福庆 刘慢天 周心明 蔡伟 郑家贵 冯良桓 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1991年第3期325-330,共6页
用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在～1000A—～1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量... 用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在～1000A—～1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量的总误差小于10％,探测深度为～5000. 展开更多
关键词 氢化 非晶硅 薄膜 氢 深度分布
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