电化学“沾笔”纳米刻蚀及其他(英文)

本文提出了一种基于“沾笔”纳米刻蚀和电化学还原技术在表面上制备金属及半导体纳米结构的普适性方法。用这种方法可以在硅表面直接书写线宽度低于50纳米的多种金属和半导体组成的纳米结构。这种简单而有效的方法在精确控制位置和结构的功能化纳米器件制备中具有重要的潜在应用前景。

分子荧光、磷光和化学发光光谱法

一、序言读者可能已注意到,今年的这个基础述评是一组新作者。作为新作者,我们希望能把工作做得跟我们的前任、田纳西(Tennesse)大学的韦利(E.L.Wehry)教授一样出色。本综述的版式遵照韦利教授使用的基本纲要,并作了一些修改。我们已压缩了一些段落并删除了有关气相化学发光的章节。重点强调的同样是实验技术的进展,仪器的研制以及在化学分析中的应用。为了使该综述有个合适的篇幅,我们没有收录仅仅是次要地涉及到分析化学或那些叙述简单推广或论证早期发表的研究的文章。在第一期中,可能会出现一些遗漏,请读者帮助我们识别任何明显的错误,我们已在认真地审查好文献。