低压等离子体结合热解法制备金刚石膜

金刚石膜具有与天然金刚石相似的优异特性，预计会有十分广阔的应用前景．本文介绍了一种新颖的金刚石膜生长技术─—强流电子增强化学气相沉积法（ＩＥＣＶＤ），它结合了传统的热丝法和等离子体法各自的优点，成为一种具有较高生长速率，能够制备大面积均匀金刚石膜的技术．对用这种方法制备的金刚石膜进行了喇曼、扫描电镜和Ｘ－Ｒａｙ衍射分析，并对这项技术的优点作了阐述．

电老化和老化台的设计要点

介绍电老化的作用，大功率老化台线路设计和分析比较，老化台的冷却系统和各种保护系统，以及现用老化台中一些易被忽视的问题。

状态分配规则及多余态分配技术

本文全面分析了时序电路设计中的4个状态分配规则，并进一步提出了多余态的分配技术。设计实例表明，有关的规则及多余态分配技术均是有效的。

硅功率晶体管的热疲劳及温度循环图

最近几年来,随着军用和民用电子设备对可靠性要求的日益提高,可靠性研究工作的不断深化,功率晶体管的热疲劳正在理论上和实践上越来越为国内所重视.七十年代前后,国外就对此课题进行了不少的研究工作.美国和日本相继将晶体管间歇工作寿命(热疲动)试验列为国家标准.例如美国的MIL-S-19500F标准和日本的JIS-C-7215标准(1980年)均把热疲劳作为耐久性试验的项目。

大电流光激可控硅的设计制造及应用

本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α＿（ｎｐｎ）、α＿（ｐｎｐ）的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ、ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控硅的制造方法，以及在光敏固态继电器（ＳＳＲ）上的应用。

符合特殊要求的大功率晶体管的制造

符合特殊要求的大功率晶体管的制造杭州半导体厂（杭州３１０００７）杜永辉共发射极电流放大系数ｈＦＥ是晶体管的一个重要电学参数。此参数值的大小又是集电极电流Ｉｃ和温度ＴＡ的函数。随着Ｉｃ和ＴＡ的不同，其大小亦不相同。但在实际应用中却又常常要求该变化必需满...

带内建二极管的彩电行管瞬态热阻的测量

本文以实验比较了一般功率晶体管和带内建二极管的功率晶体管的EB结的温度特性,分析了并联在EB结上的扩散电阻Rb对测量晶体管△V_(BE)E产生影响的原因.提出了带内建二极管的功率管△v_(BE)测量条件.

提高功率器件抗热疲劳性能研究

众所周知,当半导体器件处于间歇工作状态时,器件经历周期性高温、低温循环,形成了热循环.该热循环在器件内部产生应力,并在热循环过程中反复不断地作用在器件内部的接合层上,使器件的热阻增加,最后导致器件热疲劳失效.热疲劳失效是影响功率器件可靠性的重要因素.因此,开展间歇工作寿命试验(即疲劳试验)。