士兰明芯：成就LED“明星”

从电视上观看过国庆60周年天安门广场庆典的人都印象深刻，人民英雄纪念碑两侧的两块总面积达500平方米的LED显示屏，创下世界广场LED显示屏规模之最，而其“心脏”就来自士兰明芯。

AZO薄膜用于GaN基LED透明电极的性能研究

采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但芯片工作电压较高,约为10 V,芯片亮度随正向电流的增大而增强。二次离子质谱测试表明,AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因。

ZnO∶Al替代ITO作透明导电膜的应用

研究了AZO(ZnO∶Al)替代ITO透明导电膜在GaN基LED中的应用,通过脉冲激光沉积和磁控溅射法制作了AZO薄膜,分析了AZO与p型GaN不良的欧姆接触的物理机理,并利用插入ITO薄层来改善接触电阻,实验用ITO 20nm/AZO 500nm的复合导电薄膜做透明导电薄膜,成功得到了波长为525.74nm、亮度为380.88mcd、电压为3.35V的GaN基绿光LED芯片,相当于单一ITO透明导电膜的性能,整个试验工艺中减少了ITO的使用量,降低了LED芯片的制造成本。

电极中Al层对LED芯片可靠性的影响分析

本文制作了垂直的LED芯片,以Ti/Al/Ni/Au结构作为N电极。由于电极结构包含容易迁移的金属Al,因此在高电流和电流密度下存在可靠性风险。通过改变Al层的厚度来研究厚度对芯片可靠性的影响。结果显示,Al越厚,芯片越可靠。当厚度达到2000A时,在湿热老化条件下没有明显的光衰减。改进的机制被认为是随着Al层变厚,Al原子被更强的Al-Al键结合,使得迁移不太可能发生。

Cu基Al掺杂ZnO多层薄膜的生长和性能

本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO／Cu、Cu／AZO和AZO／Cu／AZO三种复合结构多层膜，研究了生长温度对多层膜特性的影响，发现AZO／Cu双层薄膜具有最优的光电性能，其最佳生长温度为100～150℃。文中进一步考察了生长温度对AZO／Cu双层薄膜结构性能和表面形貌的影响，结果表明：合适的生长温度有利于改善AZO／Cu双层薄膜的晶体质量，进而提高其光电性能；150℃下沉积的薄膜具有最佳品质因子1．11×10^-2Ω^-1，此时方块电阻为8．99Ω／sq，可见光透过率为80％，近红外反射率约70％。本文在较低温度下制备的AZO／Cu双层膜具有较优的透明导电性和良好的近红外反射性，可以广泛应用于镀膜玻璃、太阳能电池、平板显示器等光电领域。

自制偏光实验用微电流检流计

自制的偏光实验用微电流检流计主要是采用LF353运算放大器和二阶巴特沃斯低通滤波电路对信号进行放大,用AT89S52单片机作为控制芯片,由ICL7135模数转换芯片对放大后的信号进行数据采集,并通过4位数码管显示测量数据.微电流计的量程为0.1uA-0.1mA,放大倍数连续可调,而且还设置了数字清零功能,可以有效地排除环境影响.在"偏振光的检测和马吕斯定律的验证"实验中,进行了初步应用,实验数据表明该仪器具有较高的测量精度、良好的重复性和稳定性,可满足偏光检测类实验的要求.

水热法制备CuAlO_2粉末

以CuO、Cu、Al2O3和NaOH粉末作为反应原料,通过水热法制备了CuAlO2粉末。用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS),红外光谱对产物进行表征。XRD和SEM分析结果表明,反应时间、反应温度对产物的结晶程度和晶粒大小有着重要的影响。随着反应时间的增加,样品晶粒的粒径增大,而且晶粒变得均匀。XPS分析结果表明,当反应温度达到360℃,反应时间为12小时,反应产物中只有CuAlO相。

Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究

介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层生长模式由3D向2D的转变。有效提高了AlN成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量。结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和AlN生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响。

柔性LED灯丝的发展进程与展望

柔性LED灯丝是一种新型的LED光源,将多颗倒装芯片串联封装在柔性透明基板制备成可任意弯曲与拉伸的灯丝,实现360°全角度发光。解决了刚性LED灯丝吸光、可塑性差、结构复杂、制造繁琐等问题,使LED灯丝得到进一步的应用与推广,推动了LED灯丝灯的发展。综述了柔性LED灯丝在封装结构、封装材料、封装工艺、散热技术等方面研究状况,对实际研究和应用有一定的指导意义。

基于量子点材料封装白光器件的性能

量子点材料是白光器件中应用最多、发展最快、最热门的材料,尤其是在LED器件中的应用。针对量子点材料的封装过程中常遇到的兼容性差、热稳定性差、氧气湿气稳定性差、光稳定性差等问题,以及量子点材料的不稳定性、种类配比、存在形态、材料种类等对白光器件的性能造成的影响进行阐述。

浅谈现代化机械设计制造工艺及精密加工技术分析

在社会不断发展的过程中,我国制造业发展迅速,为国民经济发展作出杰出贡献,而机械制造则是其中的重要内容,在制造生产过程中发挥无法替代的作用,通过对机械设计制造工艺的科学运用,一方面可以提高制造质量,生产出更多高品质的机械产品;另一方面还可以提高生产效率,获得更高的生产效益。基于此本文主要就现代化即系而设计制造工艺与精密加工技术展开了深入探讨。

LED灯泡的光热耦合研究

从LED芯片、LED荧光粉两个方面入手,综述了当前多种LED灯泡光热耦合理论与模型的研究进展,并且对研究方法进行评述,展望了LED灯泡光热耦合的进一步研究方向,对实际研究和应用具有一定作用。

基于倒装芯片制备白光LED灯丝的研究进展综述

倒装LED灯丝基于倒装芯片制备,区别于普通白光LED灯丝,制备工艺上一些调整使得倒装LED灯丝灯具有发光效率高、散热能力强、工艺简单、灯丝寿命长等优点,具有极大的市场前景。综述了近年来倒装芯片的制备方法以及创新性较强或较为实用的部分倒装LED灯丝的制备方法,如平面涂覆法,全周光LED灯丝,柔性LED灯丝,立体灯丝光片等,并对倒装LED灯丝的未来发展方向及应用前景进行了展望。

Micro LED研究进展综述

基于近代显示技术的发展背景,对比传统的LED显示技术分析了Micro LED技术的发展潜力,总结出Micro LED所具有的显示技术优势;从Micro LED发展进程与技术原理出发,系统阐述了目前存在的三大封装工艺特点即Micro LED全彩化技术、巨量转移技术、微缩制程技术;介绍了当前Micro LED的三种驱动模式即PM无源选址驱动、AM有源选址驱动、半有源驱动;综述了当前Micro LED驱动的研究进展以及商业化应用,并且对研究方法进行评述;展望了Micro LED进一步研究方向,对实际研究和应用具有一定作用。

电子信息工程现代化技术的应用现状及有效改善

虽然电子信息工程现代化技术得到了很好的发展,而且也已经被运用到了人们的生活和工作中,不过其竞争力还是比较弱的。所以,一定要提升电子信息工程现代化技术的创新,重视对科技人才的培养工作,从而可以有效地促进电子信息技术的发展,并且提升自身的竞争力,让电子信息工程技术可以在市场中得到成长,从而促进社会的发展。

探讨企业内部控制中全面预算管理的作用

企业的内部控制中,全面预算的管理可以起到提高效率,确保落实的作用。企业全面预算管理工作可以为经营性风险圈定一个安全范围。对于企业来说,规模越大,面对的经营风险越大,企业员工的业务素质,道德水平直接影响全面预算控制的完成情况。实现全面预算有利于提高企业各部门的内部组织水平,提高部门协作效率。笔者结合国企的相关情况,探讨企业内部控制中全面预算管理的作用。