一种复合栅结构IEGT器件设计

在传统平面栅IEGT器件基础上,设计了一种复合栅结构IEGT器件,器件兼容了电子注入增强和载流子存储层技术.器件纵向延展的沟槽栅增加器件有效栅极长度而不额外增加栅极面积,提高N-漂移区内部的载流子浓度.沟槽的存在能够减小P型基区侧面的电场强度,改善由于N型阻挡层浓度过高造成的器件耐压的跌落,从而进一步提高表面载流子浓度,最终降低器件饱和压降.器件具有两种不同厚度的栅氧化层,靠近P型基区采用薄栅氧化层以保持器件正常的阈值电压,其余大部分栅极区域采用厚栅氧化层以降低器件电容,减小开关损耗.

一种双向超低电容TVS器件的研制

针对现有双向TVS的不足及广泛的市场需求,采用集成器件结构和先进工艺研制了一款双向击穿电压7 V,电源Vcc对地GND的电容0.8 pF的超低电容TVS器件。该器件实质是普通二极管和稳压管的串并联电路,反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10Ω以内。芯片尺寸控制在220μm×220μm以内,适合DFN1006、DFN0603等小型封装。利用此特性,该双向超低电容TVS器件适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失。

大束流离子注入机颗粒改善

大束流离子注入机是半导体行业中一种十分重要的设备,在生产过程中,影响注入机产品良率和产能的关键因素是颗粒的多少。大束流离子注入机采用靶盘式结构,腔体空间大,腔体内真空度相较于中束流离子注入机低,束流路径大,因此产生颗粒的几率更大。本文先分析了大束流离子注入机颗粒产生的原因,然后提出了气体传导率限制缝和锯齿石墨两种减少颗粒的结构设计,并进行了实验验证,最后给出了颗粒偏高后查找颗粒源的几种方法。

离子注入机直线加速器原理

本文主要研究半导体领域高能离子注入机加速器的总体控制框图,阐述了谐振腔电压放大原理和直线加速器相位频率控制原理。阐述了高能粒子注入机带漂移管的谐振腔直线加速器的结构。并根据离子注入机实际测得的离子形状和电场分布方式,阐述了加速器将连续离子离散化和离散化离子的加速原理。

金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互联线空洞问题的研究和解决

干法刻蚀是进行集成电路制造过程中较常使用的一种方式,通过该类方式的使用能够达到AlSiCu之间的互联线。但需要注意的是,使用该类刻蚀工艺后,需要进行残留物的去除,通常情况下都会使用清洗工艺来进行。但需要注意的是如果直接使用清洗工艺,合金表面会出现较多的空洞,这些空洞会直接影响到互联线的使用质量。为此,技术研究人员尝试通过可行性的措施来进行空洞问题的解决。下文将对此进行深入的分析与研究。