n-GaAs(100)表面及Na/n-GaAs(100)界面的光电子谱研究

采用X射线光电子谱(XPS)及紫外光电子谱(UPS),对经5keV Ar^+离子轰击后的n-GaAs(100)表面及其Na/GaAs(100)界面作了详细的研究。并且和Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面进行比较,以揭示Ar^+离子轰击对金属/n-GaAs(100)界面的影响。结果表明,经5keV氩离子轰击后的n-GaAs(100)表面,其功函数较n-GaAs(100)-(4×1)表面大0.3eV。而且,Na在低覆盖度时(θ≤0.02ML)。轰击后的GaAs(100)表面,Na/n-GaAs(100)界面费米能级移动量为0.7eV,而Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面,其费米能级移动量仅为0.3eV。

镍铬合金高温抗氧化性与铬偏析

通过俄歇电子能谱,我们着重研究了低铬含量的镍铬合金(Cr<10％)高温抗氧化的微观机理,俄歇分析表明,高温下(300～500℃)铬向表面偏析相当明显,随着温度的升高,铬的偏析量明显增加,而且在同一温度下,铬的偏析量和退火时间成正比。