电子束还原SrAl_2O_4:(Eu^(2+),Dy^(3+))长余辉材料的力致发光研究

通过高温烧结和电子束还原法制备了SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光材料,并利用球磨获得了SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光粉。通过把发光粉与环氧树脂混合制备了含有SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光粉的夜光胶,利用丝网印刷涂敷技术及热处理在石英玻璃上涂敷了厚度为1000 nm量级的SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光膜。通过小球下落冲击法和一套自制的基于一个雪崩二极管和皮安表的测试装置研究了这种长余辉发光膜的力致发光特性。研究发现,电子束还原法制备的SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光膜具有很好的力致发光特性,具有高达1.25的信背比和很高的信噪比。力致发光强度与小球下落前的初始高度即冲击发生前小球的动能成指数关系,光谱特性及衰减特性与长余辉发光相似。上述结果表明,力致发光是小球冲击能传递给电子并引起电子进入陷阱能级然后释放引起的。

退火温度对TiO_2基电阻开关器件性能的影响

采用直流磁控溅射法在n+-Si上制备了TiO2薄膜,采用电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au电极,获得了Au/TiO2/n+-Si结构的器件.研究了退火温度对薄膜结晶性能及器件电阻开关特性的影响.Au/TiO2/n+-Si结构的器件具有单极性电阻开关特性,置位(set)电压,复位(reset)电压、reset电流及功率的大小随退火温度的不同而不同,并基于灯丝理论对器件的电阻开关效应的工作机理进行了探讨.研究结果表明,500℃退火的器件具有良好的非易失性.器件高低阻态的阻值比大于103,其信息保持特性可达10年之久.在读写次数为100次时,器件仍具有电阻开关效应.

一种基于长余辉发光材料力的冲击传感器

长余辉发光材料的力致发光现象是近年来相关领域的研究热点之一,在力传感器特别是冲击力传感器领域有重要的应用前景。但是,力致发光现象的强度很弱,一般需高灵敏度的光电倍增管进行测量。为了解决这个问题,该文以共掺Dy和Eu的Al2Sr O4长余辉片材为冲击敏感单元,以一个APD雪崩光电二极管为光检测与放大元件,加上自行设计的弱电流检测模块与高压偏置电源,成功地观测到了小球冲击引起的长余辉发光材料的力致发光现象。装置体积小、重量轻、成本低,可以实现冲击力检测设备的小型化。

长余辉夜光材料Sr_4Al_(14)O_(25):(Eu,Dy)的制备及性能优化(英文)

利用固相反应法制备了Sr4Al14O25:(Eu2+,Dy3+)长余辉夜光材料,并研究了H3BO3含量、固相反应温度和Eu含量对Sr4Al14O25:(Eu2+,Dy3+)长余辉夜光材料性能的影响.实验结果表明,H3BO3含量对蓝绿发射的Sr4Al14O25相的形成至关重要.在固相反应温度为1400℃,H3BO3含量为10at%,Eu/Al原子比为0.03的优化条件下,获得了发射波长为490 nm,余辉时间长达24 h以上的Sr4Al14O25夜光粉.发光强度与Eu含量的关系证明,Sr4Al14O25相的蓝绿发射过程主要受电子从深陷阱到Eu2+能级的转移速度的控制.

激光诱导击穿光谱及其在元素分析中的应用

激光诱导击穿光谱是一种新的元素分析方法,但仍处于不断完善之中。利用它可以分析不同形态样品的成分,因此在成分分析和微量元素检测方面具有重要的应用前景。本文阐述了激光击穿诱导光谱仪的基本原理和激光诱导击穿光谱在多个领域中的应用,研究内容涉及固体样品、液体样品、气体样品、微量杂质分析和成分深度剖析等,并分析了基体效应、自吸收效应、测量时间、环境气体、激光参数等对激光诱导击穿光谱分析结果的影响。

Bi_2O_3薄膜的制备及其电阻开关特性的研究

电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一.实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜,并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究.XRD分析结果表明,射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3薄膜结晶性能好,(201)取向明显.I-V曲线测试结果表明,Au/Bi2O3/n+Si/Al结构具有单极性电阻开关特性.通过对不同厚度Bi2O3薄膜的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构I-V特性比较发现,随着薄膜厚度的增加,电阻开关的Forming、Set和Reset阈值电压均随之增加.对于Bi2O3薄膜厚度为31.2 nm的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构,其Forming、Set和Reset阈值电压均低于4 V,符合存储器低电压工作的要求.

外置式电感耦合化学气相沉积法低温制备SiO_2薄膜

设计了一种外置式电感耦合等离子增强化学气相沉积装置,并利用该装置在n型硅片上低温沉积了SiO2薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)等对生长的薄膜进行表征。SEM测试结果表明,利用该装置沉积的SiO2薄膜表面平整,薄膜均匀性好;根据FTIR图中Si-O峰的横向与纵向光学声子吸收峰的分析发现,沉积功率越大,薄膜越疏松;等离子体区域内不同位置沉积的薄膜均匀,能够用于大规模、大面积的工业生产。此外,为了方便地获知SiO2薄膜的厚度,我们推导出了50W的功率下,薄膜厚度随沉积温度、沉积时间变化的经验公式。

反应激光脉冲沉积法制备CoO和Co_3O_4薄膜

利用反应脉冲激光沉积法,以金属钴为靶材,通过改变衬底温度、反应气体氧气的流量等工艺参数,先后在玻璃衬底上成功制备了CoO薄膜以及Co3O4薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)研究了沉积工艺参数对沉积薄膜的晶体结构和光学特性的影响。结果表明,当氧气流量小于15sccm时,沉积的薄膜为岩盐矿结构的CoO,而当氧气流量大于15sccm时,沉积的薄膜为尖晶石矿结构的Co3O4。通过对紫外-可见吸收光谱的数据分析,证明CoO和Co3O4薄膜均为间接能带结构,禁带宽度分别为0.82eV和1.21eV。

掺锑的纳米SnO_2/WPU复合隔热涂层的制备与表征(英文)

利用掺锑的纳米SnO2和水性聚氨酯(WPU)制备了透明隔热的复合涂层.实验发现涂层的隔热起因于涂层中掺锑的纳米SnO2粒子对红外线的吸收.隔热测试结果表明在阳光的照射下,涂层表面的温度升高,而测试箱内的温度最大下降17.5℃.实验制备的掺锑的纳米SnO2/WPU复合隔热涂层具有许多优点,如成本低、化学性能稳定、制作方便等,是一种性价比较高的隔热涂层.

下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响

本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导,而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流.不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响,并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释.