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题名反应烧结法制备硅钼化合物
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作者
袁涛
刘心宇
成钧
王统洋
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机构
桂林电子工业学院信息材料与科学工程系
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出处
《桂林电子工业学院学报》
2005年第3期89-92,共4页
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文摘
为研究反应烧结方法制备MoSi2及Mo5Si3的可行性和可用性,对Mo,Si混合粉末在无压和热压条件下的反应烧结进行了系统的研究,结果表明:反应烧结法可以制备纯MoSi2和Mo5Si3,其最低反应烧结温度分别为1200℃和1300℃左右,但通过球磨混合粉末的方法可以达到降低粉末反应烧结温度的目的,对于制备Mo5Si3而言,至少可以使反应温度降低100℃;研究也表明Mo-66.6at.%Si混合粉末热压反应烧结制备MoSi2的过程可分为四个阶段。
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关键词
MOSI2
M05Si3
反应烧结
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Keywords
MoSi_2, Mo_5Si_3, reactive sintering
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分类号
TG146.4
[金属学及工艺—金属材料]
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