高密度黄金网孔快速加工设备与方法

研制开发了一种用于黄金薄板钻孔的自压紧钻孔装置及加工工艺,阐述了研制的关键技术及加工工艺要点。研究表明,自压紧钻孔装置对加工设备没有特殊要求,而且较好地满足了使用要求,在配备简易的雕刻机后采用数控技术提高了钻孔效率和钻孔质量,减少了黄金损耗,降低了劳动强度,设备简单易用,成本低。

水热法合成Ga/Sc共掺氧化锌晶体

采用水热法,以氧化锌陶瓷为原料,4 mol/L KOH+1 mol/L LiOH作矿化剂,温度380℃,内填充度为75%制备了Ga/Sc共掺氧化锌晶体。结果显示:生长的Ga/Sc共掺氧化锌晶体呈六棱柱状,整个晶体表面基本光滑平整。负极面-c(0001)大面积显露,双掺后的氧化锌晶体形态存在明显的改变。通过超声波扫描显微镜(C-SAM)观察,晶体存在一定数量的生长缺陷。X射线双晶摇摆曲线得出(0002)面半高宽FWHM为28 arcsec,(0002)面半高宽FWHM为46 aresec,表明晶体具有较高的结晶质量。另外,紫外-可见-红外光谱仪测试发现Ga/Sc共掺氧化锌晶体透过率介于氧化锌晶体和掺镓氧化锌晶体之间。

大尺寸Ga/Sc共掺ZnO晶体的水热法生长及光的吸收特性

文章报道了水热法生长Ga/Sc共掺ZnO晶体的结果。实验以ZnO陶瓷烧结块为培养料,以4mol/LKOH+1mol/L LiOH+5mlH2O2作为矿化剂,溶液中加入定量的Ga2O3和Sc2O3粉末,在尺寸为Φ70×1100mm高压釜中,在溶解温度T=380℃~400℃,结晶温度T=360℃~380℃的条件下,采用温差水热法生长出了尺寸为50×35×5.6(c轴方向)mm3的Ga/Sc共掺ZnO单晶体。采用ICP-MS测试了晶体中Ga和Sc元素的含量。利用分光光度计测试了晶体的吸收率,从400nm波长开始,随着波长的增大,Ga/Sc共掺ZnO晶体的吸收率比纯ZnO晶体高。比较了不同温差条件下c轴方向的生长速度,确定了合适的水热法晶体生长的温差条件。