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Si/SiGe异质结双极晶体管的研制(英文)
1
作者
杨沛锋
李开成
+5 位作者
何林
刘道广
张静
李竞春
谢孟贤
杨谟华
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第2期123-127,共5页
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响。开发了兼容...
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响。开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz。
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关键词
锗硅材料
分子束外延
异质结双极晶体管
优化设计
原文传递
题名
Si/SiGe异质结双极晶体管的研制(英文)
1
作者
杨沛锋
李开成
何林
刘道广
张静
李竞春
谢孟贤
杨谟华
机构
电子科技大学微电子科学与工程系
模拟集成电路国家重点试验室
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第2期123-127,共5页
基金
NationalKeyLaboratoryfunds(99Js095.1)
文摘
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响。开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz。
关键词
锗硅材料
分子束外延
异质结双极晶体管
优化设计
Keywords
SiGe
MBE
HBT
optimization CLC:TN304.054
TN325 + .3Document code:A
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
Si/SiGe异质结双极晶体管的研制(英文)
杨沛锋
李开成
何林
刘道广
张静
李竞春
谢孟贤
杨谟华
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002
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