基于大数据分析技术的智慧消防平台设计与实施

随着城市化的快速发展和复杂性增加,传统的消防系统面临着诸多挑战,尤其是在数据处理和实时响应方面。因此提出一种融合SpringBoot、Vue及大数据分析技术的智慧消防平台。平台利用SpringBoot构建高效后端,结合Vue开发的用户界面,提供直观的操作体验。核心在于大数据技术的应用,特别是采用Hadoop进行大规模数据存储与处理,以及使用Spark进行快速数据分析和模式识别。该平台实现了实时监控、事件驱动预警和数据深入分析,显著提升了对火灾风险的预测和响应能力,突出了现代软件工程技术和大数据分析技术在消防安全领域的重要性和应用潜力。

Dual Gate液晶显示屏栅极制程断路缺陷的分析与改善

文章探究了光刻工序的水汽和ITO刻蚀工序的药液结晶对DualGate产品栅极制程的断路影响,通过DOE试验得到影响因子的最佳改善条件,使55寸DualGate产品栅极制程的断路缺陷发生率整体降低36%,为公司带来80.2万元的月度收益,能够对其他高端产品断路缺陷的改善思路、新工艺设备的设计改进,提供参考。

ITO连接过孔电阻定量计算与设计方法

TFT-LCD面板内的ITO连接过孔目前只有一些定性的设计规则,缺乏定量计算和设计过孔的方法。本文研究了此类过孔电阻的定量计算方法,同时探索了过孔电阻与击穿电流的关系,为合理设计过孔、防止过孔烧毁提供了指导依据。首先,通过分析过孔的结构,抽象出等效电阻电路图,得到多种不同结构的过孔电阻分解公式。过孔电阻主要由深孔接触电阻、浅孔接触电阻和深浅孔之间连接的ITO电阻组成。然后,通过设计不同尺寸的金属与ITO的接触过孔,使用开尔文四线检测法测量得到深孔接触电阻和浅孔接触电阻与孔尺寸之间的关系式。同时,深浅孔之间连接的ITO电阻可通过ITO方块电阻与深浅孔之间的ITO尺寸计算得到。由此,我们仅依据过孔的尺寸信息及ITO方阻数据即可计算得到各种结构的过孔电阻阻值。通过对大量过孔电阻的实测值与计算值进行相关性分析,线性相关系数达到0.96,证明了该计算方法的可靠性。最后,通过测量大量过孔的电阻阻值及其击穿电流值,发现过孔电阻阻值与击穿电流之间存在显著的幂函数关系,幂指数在-1.3附近,相关系数达到0.98。自此,建立起了一整套可定量计算和设计过孔电阻和击穿电流的方法。

阵列检测Modulator治具精益管理方法研究

在阵列检测中Modulator治具是必备且关键的备件之一,亦属于消耗备件。目前,Modulator价格日趋上涨,备件成本也随之大幅增加。本文通过对其使用过程中存在的问题点进行分类分析,得出实施精益化管理措施,可以合理地控制备件资金,合理地管理库存储备,延长Modulator使用寿命,从而保证设备的需要,提高设备可靠性、稳定性和经济性。

大尺寸TFT-LCD GOA Channel CD管控方案的研究

随着GOA(Gate On Array)技术的不断发展,GOA技术在TFT-LCD行业,尤其在窄边框TV显示屏上的应用也愈来愈频繁,但是由于GOA驱动电路工艺的不稳定性和复杂性,可能会导致显示不稳定的问题,同时随着TV市场需求的日益增长,GOA产品的工艺稳定性对于客户端的品质表现显得十分重要。

TFT-LCD洁净间温湿度测试仪器假设检验和回归分析机差解决方案

温湿度是TFT-LCD生产过程中洁净间的重要环境特性,温湿度的异常波动可能会导致TFT-LCD生产所需原材吸湿腐蚀或产生ESD相关不良。因此,合理地使用温湿度测试仪对洁净间的温湿度进行监控是十分重要的管控措施。本文以在日常监控过程中发现A温湿度测试仪与B温湿度测试仪实测数据存在机差的为例,通过假设检验与回归分析等统计学方法解决仪器机差问题,为其他TFT-LCD环境测试仪器机差问题提供了解决方法与分析思路。

大尺寸、高分辨率TFT-LCD TV产品短路型线不良原理与分析方法

大尺寸、高分辨率TFT-LCD TV产品因栅极绝缘层均一性差与异物残留等导致Data线、Gate线与Com线在交叠区短路、击穿,在面板显示区域内造成线型功能性不良;以往的研究多聚焦于线不良的发生比率、现象及改善措施,对此类线不良分析方法与发生机制研究较少;因此,借助聚焦离子束-能谱(FIB-EDS)等现代分析技术,依据微区形貌、成分、衬度等信息,研究大尺寸、高分辨率TFT-LCD TV产品短路型线不良原理、微区异物成分分析方法、线不良发生的关键膜层,对大尺寸、高分辨率TFT-LCD TV产品的不良拦截与质量提升具有重要借鉴与参考意义。

财务BP在企业管理中的应用与价值创造

经济不断发展,衍生出了现代化的组织模式,财务BP是新时期财务转型的模式之一。企业通过财务BP,能有效加强内部管理,促进各部门之间的交流,对内部资源进行高效配置,有利于财务管理效率的提升,加快财务转型升级进程。当下,我国财务人才市场进入了BP时代,然而在企业管理中,财务BP仍缺乏相应的工作基础,相关制度不够成熟。对此,企业要在各方面加强完善,及时掌握财务BP的工作职责、内容等,分析其中遇到的各种问题,持续创新财务BP模式。本文论述企业实行财务BP模式的意义以及在落实中遇到的各项挑战,分析财务BP的职责、其在企业中的应用情况及价值,旨在为进一步促进企业财务管理转型与长远发展提供一定参考。

小型公共建筑疏散标志设置分析

随着多本新规范的执行,行业内对门卫、值班室等小型公共建筑设置疏散指示标志存在一些争议,目前大部分设计都采用自带蓄电池非集中控制系统,反倒把简单的项目复杂化了。本文通过分析门卫、值班室的火灾危险性,建议小型独立公共建筑可不设置疏散标志设置,不影响消防安全的同时,简化配电系统,降低设计、施工过程的成本,节约投资。

电动机全压起动的条件验证

本文探讨了电动机全压起动的条件。通过实际工程分析、计算电动机全压起动时母线电压相对值、调整电动机功率与变压器容量比值,对判定电动机全压起动的常用方法进行验证。结果表明,全压起动接线简单、维护方便,是最安全、快捷的气动方式。如无其他条件限制,当电动机功率不大于变压器容量的30%时,电动机理应直接选择全压起动。

TFT-LCD阵列基板栅极半透掩膜版设计研究

本文采用40%和45%透光率的栅极半透掩膜版,详细分析了各透光率下的曝光特性、工艺波动性、生产节拍、量产可行性等。研究表明:栅极半透掩膜版透光率设计可结合产品性能要求和生产节拍进行选择。高端产品,工艺稳定性要求高,需求品质优,可以选择40%透光率;中低端产品,工艺波动性容忍度大,考虑生产产能,可以选择45%透光率。

反应时间对重油悬浮床加氢裂化反应的影响

以环烷酸钼为催化剂,考察反应时间对委内瑞拉常压渣油悬浮床加氢裂化反应产物和催化剂抑制生焦能力的影响,并采用四组分分析法、SEM、XPS等手段对体系胶体稳定性、焦炭形貌、催化剂表面Mo元素的形态及相对含量进行分析。结果表明:随反应时间的延长,原料转化率和轻油、焦炭产率升高,催化剂抑制生焦能力先提高后降低,其表面加氢活性较强的Mo^4+位较难生成焦炭;体系胶体稳定性、催化剂表面Mo元素相对含量和焦炭产率的变化趋势一致,说明反应时间对重油悬浮床加氢裂化反应的影响主要表现在影响体系胶体稳定性和焦炭覆盖催化剂活性金属的程度。

高纯石英(SiO_(2))评述(一):微量、微细粒铝硅酸盐矿物的活化与分离

高纯石英著以杂质含量极少、SiO_(2)纯度极高,现已广泛地应用于光纤通信、光伏、航空航天、半导体显示等高新技术产业。铝硅酸盐矿物是石英矿中最典型的脉石矿物之一,主要包括钾、钠长石、云母等;以现有的常规分离工艺,难以有效、高效地去除这些顽固性的微量、微细粒的长石、云母。本文详细地阐述了高纯石英中铝硅酸盐脉石矿物分离的基本现状,对顽固性的微量、微细粒长石、云母活化与分离的前沿技术进行系统性地概述;基于近年来我国高纯石英基础理论研究进展,对高品质石英中晶体界面、内部包裹的微量、微细粒铝硅酸盐脉石矿物分离研究提出了合理化的科学建议。

高纯石英(SiO_(2))评述(三):流体包裹体的分析、活化与分离

高纯石英著以杂质极少、纯度极高,现已广泛地应用于光纤通信、光伏、航空航天、半导体显示等高新技术产业。流体包裹体,一种来源于原生成矿流体,或是在后期地质作用中被石英捕获的流体,是石英中典型的流体杂质;特别是一些被包裹于石英晶体中的微小气、液包裹体,很难有效地被常规的选矿技术分离。本文详细地阐述了高纯石英中流体包裹体的基本特性,对流体包裹体的活化与分离技术现状进行概述;基于近年来我国高纯石英基础理论研究进展,并对我国高纯石英基础理论研究提出科学建议。

高纯石英(SiO_(2))评述(二):晶格杂质的活化与分离技术

高纯石英著以杂质极少、纯度极高,现已广泛地应用于光纤通信、光伏、航空航天、半导体显示等高新技术产业。广泛赋存于石英晶体结构中的微量金属、非金属元素(H、Li、B、Na、Al、P、K、Ca、Fe、Ti等)因被Si-O-Si键紧密束缚而难以被常规的选矿技术分离。本文详细地阐述了高纯石英中被晶格束缚的微量元素赋存机制,并对国际上高品质石英晶体结构中的微量元素的先进分离技术进行了全面、系统地概述;基于近年来我国高纯石英基础理论研究进展,对我国高纯石英晶格杂质分离的基础理论研究提出合理化的科学建议。

煤尘湿式除尘器捕集液的改性研究

为了提高湿式除尘器对疏水性煤尘颗粒的捕集效果,采用表面活性剂对煤尘湿式除尘器捕集液进行了改性研究,以润湿性为评价指标进行了捕集液的改性试验。结果表明:各类表面改性剂对煤尘润湿性影响的强弱顺序:非离子型>阳离子型>阴离子型>两性离子型;与用普通水相比,采用AOE-15与W106按比例复配后配制成的改性捕集液对煤尘的捕集效率显著提高。

基底涂层对PS弹性回复率的影响

为进一步提升液晶显示产品盒厚的稳定性,本文研究了TFT-LCD中柱状隔垫物(Photo Spacer,PS)弹性回复率(ER)与基底膜层间的关系。首先制作不同基底膜层的PS样品,然后利用SNU 3D显微镜表征PS的大小及高度,用扫描电镜(SEM)观察基底膜层的厚度,最后用动态超显微硬度计表征PS。实验结果表明,PS在空白玻璃(Bare Glass)上的ER比正常基底膜厚高3.9%(200 mN)。平坦层(Over Coat)维氏硬度越高时,PS ER越高,且随着载入压力的增大,维氏硬度差异所导致的PS ER差异越大,当载入压力为500 mN时差异达到6.3%。彩色光阻(Color Resist)膜厚由2.2μm变厚到2.5μm时,PS ER降低,载入压力为100 mN时,A、B材料PS ER分别降低3.7%、4.9%。另外对PS在基底涂层下的疲劳性进行了研究,结果表明随着压入次数增加,PS ER增加,塑性形变比例减小,25次后逐渐保持平稳。

高温竖向串扰发生机理的定量研究

为快速解决大尺寸薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品中的高温竖向串扰(V-CT)不良,本文研究了漏电流与V-CT现象间的定量关系,用以指导TFT特性相关工艺的调整。首先,基于V-CT电压梯度曲线及TFT开关实际工作状态下的漏电流,建立了一种定量表征漏电流的大小和V-CT严重程度间关系的测试方法。然后,应用此方法对客户端评测画面(CT-SEC)下发生的高温V-CT进行研究,实验结果表明V-CT电压梯度曲线可以较好地匹配总体漏电流Ioff_total渐变规律。高温初始及长期信赖性评价条件下,V-CT不良的发生同显示面板面内的光照漏电流Ioff(Vgl_GOUT-Vpixel_255-)强相关。

大尺寸高分辨率TFT-LCD垂直串扰的机理研究与改善

随着生活质量的提升,大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器件越来越受到人们的青睐。然而,高规格产品同时也会伴随更多的显示问题,垂直串扰就是其中一种。垂直串扰产生原因主要是由于数据线与像素电极之间的耦合电容Cpd以及薄膜晶体管(TFT)关闭时的漏电流Ioff使像素电压发生偏移。高分辨率8 K产品由于其存储电容大幅减小、布线密集程度增大,导致其垂直串扰现象严重。本文通过软件模拟了Cpd的影响因子,再结合不同像素电极2ITO交叠面积样品的反置现象确定Cpd的影响程度,同时通过改变各项工艺参数确定最佳存储电容及漏电流条件,最后在最佳存储电容及漏电流条件下探讨与之匹配的2ITO交叠面积。在所有最优工艺条件下,不良比率由最初的55.6%下降至4.2%,画质大幅改善。

物料装卸搬运系统分析及改善措施

物料搬运在企业的流通和生产中起着非常重要的作用,通过对物料装卸搬运系统和分析方法的介绍,本文主要从 CST 卡匣的角度,深入分析物料装卸搬运系统的架构,并探讨 AMHS 系统在物料装卸搬运过程中,保证物料洁净的改善措施。