掺杂石英系单模光纤对BSBS频移的影响

报道了对几种掺杂ＳｉＯ２石英系单模光纤的背向受激布里渊散射（ＢＳＢＳ）谱的实验结果，结果表明其布里渊散射斯托克斯频移主要取决于纤芯的掺杂材料和浓度，进一步分析证明了光纤掺杂后将主要通过调制杨氏模量的变化。

间接耦合光电探测结构光致负阻效应的物理模型

系统地报道和探讨了在研究间接耦合光电探测结构光致负阻特性中所发现的一系列实验现象．在对这些实验现象综合分析的基础之上，提出了一种由一横向ＰＮＰＮ四重结构与一纵向ＮＰＮ管相互作用所产生的负阻效应的新模型．利用负阻峰域载流子特殊的输运机制，设计和研制出了上升、下降时间均为２ｎｓ左右，内部电流增益大于３０倍的硅光电探测单元器件．

磁质谱分析系统的研究

磁质谱分析是利用不同质荷比的离子在磁场中作不同的偏转来分析物质的,它是现代科学中用于分离或提纯物质的重要手段。文从质谱仪的基本方程出发,分析了影响质量分辨率的因素和两种主要像差产生的原因,及其校正措施,从而提高了质谱仪的测量精度。

电解沉积的分形维数与ZnSO_4溶液浓度的关系

用电沉积方法得到了不同浓度硫酸锌电解液的分形凝聚图像；进行图像处理，得到了其分形维数与浓度的关系曲线；

液态Bi－Te和Bi－Se系合金的电阻率与金属－非金属转变

测量了含Ｔｅ４０％～７０％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｔｅ合金在７００～８５０℃和含Ｓｅ４０％～６５％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｓｅ合金在７００～９００℃的电阻率．得到在所述成分范围内，液态Ｂｉ－Ｔｅ合金保持金属导电性；而对于液态Ｂｉ－Ｓｅ合金，当成分接近Ｂｉ２Ｓｅ３配比时，发生金属－非金属转变．从原子间键合方式和能态特征，解释了液态Ｂｉ－Ｓｅ合金发生金属－非金属转变，而液态Ｂｉ－Ｔｅ合金保持金属性的原因．

Be^(2+)等二电子系列基态关联能计算方法的研究

在组态相互作用模型的基础上对Ｂｅ２＋等二电子系列基态电子关联能的计算方法进行了研究，利用变分原理，采用Ｂ样条处理径向基，用“混合Ｌ”法处理角向基，给出Ｈｅ，Ｈ－，Ｌｉ＋，Ｂｅ２＋，Ｂ３＋等５种原子（离子）系列的有关计算结果，并与其它理论方法计算的结果作了对比，显示出Ｂ样条方法优越的计算能力．

内调制光敏管物理特性的进一步研究

本文详细地分析了一种新型光电探测器——内调制光敏管的物理特性,考虑了表面态和通道空穴准费米势分布的影响。导出了通道内空穴浓度和空穴准费米势沿通道的分布,和耦合系数与栅压的关系,它们与实验结果符台得较好。

卤化锰系玻璃结构的EXAFS研究

用扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)方法对氟氯混合卤化锰玻璃(60-x)MnF_2·40BaCl_2·xMnCl_2(x=0,10,20,30)中Mn^(2+)的近邻配位进行了研究。结果表明,同玻璃中两种阴离子的平均比值F/Cl相比Mn^(2+)近邻相对偏聚了F,而且随着MnCl_2的引入这种相对偏聚更明显。依据实验事实,对照MnF_2·BaF_2系氟化物玻璃的一种结构模型,指出了MnF_2-BaCl_2系氟氯混合卤化锰玻璃的结构特点,很好地解释了卤化锰系玻璃的形成规律和氟离子导电机理。

建立在威尔逊圈水平上的两胶子体系的BS方程

在一个有质量组分胶子与无质量规范胶子具有ＳＵｃ（Ｎ）定域规范不变的相互作用的模型中，得到了组分胶子两点格林函数与四点格林函数的Ｆｅｙｎｍａｎ－Ｓｃｈｗｉｎｇｅｒ表示，继而导出了两组分胶子体系的ＢＳ方程以及相互作用核的表达式，由此便证明了所有动力学信息都包含在处于ＳＵｃ（Ｎ）伴随表示的威尔逊圈中 ．

高温液态Χ射线衍射仪自动控制及数据处理的微机系统

报道了将计算机技术应用到Ｘ射线衍射方法中，实现对高温液态Χ射线衍射仪的自动控制、数据自动采集及适时处理得到径向分布函数（ＲＤＦ）的微机系统．该系统具有准确、可靠、方便的优点。

GaAs太阳电池辐照效应的研究现状

文章介绍了ＧａＡｓ太阳电池辐照效应的研究状况，简述了研究中常用的方法及重要的结论。现有的研究结果表明，ＧａＡｓ太阳电池性能的退化与辐照粒子的能量、剂量及入射方式相关，不同种类的粒子引起的损伤很不一样。通过退火处理辐照损伤后的太阳电池，其性能可得到部分恢复。

磁场抑制肿瘤和影响细胞跨膜电位的探讨

峰值磁场０．６～２．０Ｔ，磁场梯度１０～１００Ｔｍ－１，脉冲宽度２０～２００ｍｓ，重复频率０．１６～１．３４Ｈｚ的磁场作用于鼠Ｓ－１８０肉瘤，在电镜下观察到肉瘤细胞程序性死亡的特征和线粒体肿胀，这一磁场能引起２．５ｍＶ的跨膜电位变化，导致Ｃａ２＋内流，促使细胞凋亡．

基于压电双晶片的测量薄膜应变的膨胀仪

研制了一种基于压电双晶片的高灵敏度膨胀仪，它能够在较宽的频率范围内，可靠、方便地测量自由状态下又薄又软的共聚物薄膜最度方向的电场致应变，测试结果证明这种新型的膨胀仪在频率为１００Ｈｚ时能探测低于０．１ｎｍ的位移，最后测量了一种共聚物薄膜的电场致应变。

环形磁控溅射成膜生长速率及厚度均匀性研究

对目前广泛用于制备高Ｔｃ（转变温度）超导薄膜的环形磁控溅射成膜提出了一种新的理论模型，采用泰勒展开计算出了三阶近似的解析结果．通过计算机作出了薄膜生长速率及厚度均匀性随薄膜位置变化关系的三维曲线，得到了生长大面积均匀薄膜、快速生长薄膜的最佳位置，并同使用较广泛的平面磁控溅射的一些计算结果进行了比较．

互穿网络聚合物的自由体积特性

测量了不同组分比的聚氨酯／丙烯酸酯类树脂（ＰＵ／ＶＥＲＨ）的化学计量和化学不计量同时互穿网络聚合物 ＳＩＮｓ（Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ ｉｎｔｅｒｐｅｎｅｔｒａｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ ｎｅｔｗｏｒｋｓ）的正电子湮没寿命参数．研究结果表明两种 ＳＩＮｓ随组分变化存在相转变过程；而且化学计量 ＰＵ／ＶＥＲＨ ＳＩＮ两组分间存在的较强化学键作用减小ＳＩＮｓ平均自由体积孔洞尺寸，分子链段堆砌紧密，分子链段间相互作用增强，从而增强了互穿效果、极大地改善了ＳＩＮｓ两组分之间的相溶性，从微观上改善了互穿网络聚合物的力学性能，为分子水平设计新型材料提供了实验依据．

氮化碳薄膜的红外吸收光谱(FTIR)研究

测量了采用ＲＦ－ＣＶＤ方法制备的氮化碳薄膜的ＦＴＩＲ曲线，膜层中的Ｃ—Ｎ键、石墨相、ＣＮ键和ＣＮ键的红外吸收峰波数分别为１２５０ｃｍ－１，１５７６ｃｍ－１，１６８７ｃｍ－１和２０５４ｃｍ－１．采用技术措施避免石墨相析出的氮化碳薄膜，其红外吸收谱只出现了Ｃ—Ｎ键的伸缩振动吸收峰（９４８ｃｍ－１）．薄膜中的其它功能基团的存在对Ｃ—Ｎ键的振动频率有一定的影响．

γ辐照对硅光电二极管光电流的影响

研究了ＰＩＮ光电二极管和普通光电二极管６０ＣＯγ辐照后的积分光电流、紫外光电流、光谱光电流的变化规律以及光谱光电流与器件反偏电压之间的关系，并对结果进行了定性分析．实验用辐照剂量分别为２×１０３ＧＹ（Ｓｉ）和２×１０４ＧＹ（Ｓｉ）．

用正电子湮没研究聚醚聚氨酯的自由体积特性

用正电子湮没研究聚醚聚氨酯的自由体积特性王波，彭治林，李世清，王少阶，刘皓，谢洪泉（武汉大学物理学系，武汉，４３００７２）（华中理工大学化学系）关键词正电子湮没，自由体积，高分子固体电解质中国法分类号Ｏ６．６３高分子固体电解质的电导率，载流子的扩散及...

用正电子研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱

简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展，包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等．研究表明，在原生半导体材料中存在各种缺陷，经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成；在重掺杂材料中，空位还补偿载流子，使载流子发生饱和．

微型永磁体冷阴极潘宁源的性能及应用

一台用于材料改性和分析测试的离子加速器，为了提高离子束能量，新设计安装了微型永磁体冷阴极潘宁离子源。