Au-Ag复合纳米阵列的制备及其等离激元共振吸收特性

利用二次阳极氧化法在硫酸体系中制备了多孔氧化铝模板,用交流法在模板中沉积了Au-Ag复合纳米阵列,并研究了其表面等离激元共振吸收特性.和单独的Au、Ag纳米线阵列不同,Au-Ag复合纳米阵列的紫外可见吸收光谱中有两个横向吸收峰,一个纵向共振吸收峰.Au-Ag复合纳米阵列的纵向等离共振波长可以通过改变Ag的生长时间进行有效调节.实验结果发现,Au沉积对后续沉积Ag的最佳沉积电压有影响.

多铁复合纳米陶瓷BaTiO_3-CoFe_2O_4的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法和化学共沉淀法制备了BaTiO3-CoFe2O4两相复合纳米粉体,利用固态烧结法制备出BaTiO3-CoFe2O4多铁性复合陶瓷.XRD测试和实验结果表明,两相复合陶瓷中同时含有四方相的BaTiO3陶瓷和立方相的CoFe2O4陶瓷.复合纳米陶瓷具有较好的铁电性和铁磁性,为进一步研究其磁电耦合效应及应用奠定了良好的基础.

Ba,Ti双位共掺杂BiFeO_3多铁功能陶瓷的制备与性能

采用快速液相烧结法制备出多铁BiFeO_3(BFO),Bi_1-xBa_xFe_(0.950)Ti_(0.050)O_3(x=0.100,0.150,0.200,0.300,0.350) 和Bi_(0.800)Ba_(0.200)Fe_(1-y)Ti_yO_3(y=0.025,0.050,0.075,0.100)陶瓷.研究了不同Ba,Ti掺杂含量对BFO陶瓷微观结构、表面形貌、介电性能以及磁性的影响.XRD测试表明制得的陶瓷样品为菱形钙钛矿结构,属于R3c空间群,Ba,Ti掺杂含量较高时会引起结构发生畸变.陶瓷的漏电流密度随Ba掺杂含量的升高而增大,却随Ti掺杂含量的升高而减小.磁性测试表明,Ba,Ti双位共掺杂BFO陶瓷具有饱和的磁滞回线,其剩余磁化强度随Ba掺杂含量的增加而增加,但随Ti掺杂含量的增加而减小.在x=0.350时陶瓷样品的最大剩余磁化强度达到0.29emu/g.

Ba掺杂多铁BiFeO_3陶瓷的制备及性能

采用固相法成功地制备出了Ba掺杂多铁BiFeO3(BFO)的Bi1-x Bax FeO3(x=0.1,0.15,0.2,0.3)陶瓷,研究了Ba掺杂含量对陶瓷结构、铁电、漏电以及磁性的影响,制得的陶瓷为菱形扭曲的钙钛矿结构,属于R3c空间群,Ba掺杂含量较高时会转变为赝立方结构;随着Ba掺杂含量的升高,铁电电滞回线的矩形度变好,漏电流密度减小.当x=0.3时,电滞回线的矩形度最好,漏电流密度最小,其值为8×10-6 A/cm2,与纯相BFO陶瓷相比,下降了两个数量级.磁性测试表明,Bi1-x Bax FeO3陶瓷具有饱和的磁滞回线,随Ba掺杂浓度的增加,其剩余磁性经历了一个先增大后下降的过程,其最大剩余磁化强度可达9emu/g.Ba掺杂显著地改善了BFO陶瓷的铁电性和磁性.

无铅压电KNNST-BKZ/Metglas层状复合材料的制备及其磁电耦合性能

利用固态反应法合成了压电性能优异的KNNST-BKZ无铅压电陶瓷.将该陶瓷与高磁导率材料Metglas复合,制备了L-T模式的KNNST-BKZ/Metglas磁电复合材料.研究结果表明,该材料的磁电耦合系数随偏置直流磁场增加呈现先增加后减小的趋势,最优的偏置直流磁场仅为16.37Oe,为实际应用提供了极大的便利;输出电压随交变磁场大小呈线性变化的趋势;在最优的偏置磁场下,磁电耦合系数显示出很好的频率响应特性,谐振频率下的磁电耦合系数达到7.85V/cm·Oe.本研究表明无铅KNNST-BKZ/Metglas层状复合材料不仅环境友好且具有很高的磁电耦合性能,在磁电传感器及能量转换器等领域具有良好的应用前景.