PZT基陶瓷纤维性能对1-3复合材料性能影响

采用塑性聚合物方法制备了高可塑性、高密度和高生坯强度的PZT5、PMnS、PBS陶瓷纤维，通过排列浇注法制备了1-3复合材料，研究了不同组成陶瓷纤维对复合材料性能的影响。结果表明，复合材料的介电常数、声阻抗和品质因数均比相应的陶瓷性能小了一个数量级，压电应变常数d33和平面机电藕合系数kp不同程度降低，但是压电电压常数g33和厚度机电藕合系数反大幅度增加，使得1-3复合材料的各相异性明显增强，复合材料的性能变化规律同压电纤维性能的变化规律相同，因此可通过改变纤维相性能而改善复合材料的性能。

合成条件对V2O5溶胶制备AgVO3准一维纳米材料的影响

以V2O5溶胶和Ag2O为反应物，用超声波辅助处理和水热反应成功制备了AgVO3准一维纳米材料。采用XRD、SEM等方法对产物的结构进行表征和测试，研究了水热反应温度、时间、搅拌与超声处理等条件对AgVO，一维纳米材料合成的影响。结果表明，得到的AgVO，准一维纳米材料长几到数十微米，直径100-400nm的纳米纤维聚集成束状结构。升高水热反应温度和延长反应时间均有利于AgVO，准一维纳米材料的形成，但当反应时间过长时，晶粒的择优取向生长变弱，产物逐渐生长为微米级的块状结构。搅拌和超声处理使固体反应物Ag2O充分、均匀进入到V2O5溶胶层间，使反应在较低温度下就可以进行。

一维CuO纳米针材料的直径可控制备研究

采用脉冲电沉积技术在金属Cu基板表面电沉积纳米晶Cu薄膜，在空气中采用热氧化法制备出一维金属CuO纳米针材料。实验研究了脉冲电沉积参数（输出脉冲频率f和占空比r）对电沉积纳米晶的微结构和晶粒度的影响，发现一维CuO纳米针的根部直径与电沉积纳米晶Cu的晶粒度完全一致。通过调节脉冲电沉积参数，能控制电沉积纳米晶Cu的晶粒度，进而实现一维CuO纳米针材料的直径可控分布。

碳掺杂氧化钛介孔材料的合成与吸附降解性能

采用溶剂挥发诱导自组装法,以非离子表面活性剂P123为结构导向剂,钛酸四丁酯为钛源,酚醛树脂预聚体为添加剂,制备了碳掺杂氧化钛介孔材料,采用焙烧方式去除其中的碳,获得纯的TiO2介孔材料。采用XRD、SEM、TEM、N2吸附-脱附等方法对所合成产物进行了表征。结果表明,添加酚醛树脂预聚体可获得结构良好的碳掺杂氧化钛介孔材料,除去碳之后得到的TiO2材料保留了前者的良好介孔结构。对染料结晶紫的吸附降解性能研究表明,碳掺杂氧化钛介孔材料具有显著吸附性能,而纯TiO2介孔材料表现出优良的吸附降解性能。

钒氧化物一维纳米材料的构筑与电输运性能

钒氧化物一维纳米材料因其新颖的结构和独特的电输运等特性,在纳电子和锂离子电池等领域受到广泛的关注和重视。基于国内外最新研究进展及本课题组的研究工作,综述了钒氧化物一维纳米材料的制备技术和电输运性能研究。首先介绍了Mo掺杂VO2纳米线阵列的形成机理及其半导体-金属相变特性;然后介绍了AgVO3-PPy同轴纳米电缆和单根NH4V3O8纳米带器件的构筑与电输运特性。最后指出对单根钒氧化物一维纳米材料及其阵列器件的性能研究是更深入探索此类材料的有效途径及发展方向。

合成条件对晶态介孔TiO2结构和性能的影响

采用sol-gel法合成了锐钛矿相介孔氧化钛，利用XRD、BET、TEM和PL对介孔TiO2的结构和光致发光性能进行了表征及分析。结果表明，采用预制TiO2溶胶为钛源，所得介孔氧化钛具有良好的锐钛矿晶型、较大的孔径和比表面积，具有高的光致发光活性。

异质界面对Ca(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3/CaTiO_3叠层薄膜结构和介电性能的影响

采用异质叠层方式制备出一定厚度的Ca(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3/CaTiO_3(CMN/CT)叠层薄膜,研究了异质界面对薄膜结构、微观形貌及介电性能的影响及其规律.根据实验测试结果,提出CMN/CT叠层薄膜的模拟等效电路,建立介电常数和介电损耗的理论计算公式.结果表明:CMN/CT异质叠层薄膜具有完全正交钙钛矿结构,结构致密,厚度均匀,薄膜中存在独立的CMN和CT相.异质界面处存在过渡层,随着薄膜中异质界面个数增加,介电常数增大,介电损耗减小.减小界面过渡层的厚度,有利于提高CMN/CT叠层薄膜的介电性能.