2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上，进一步对器件的性能进行了改进，并采用标准１４脚蝶型管壳对集成器件进行了封装．封装后的发射模块阈值电流约为２０～３０ｍＡ，边模抑制比大于４０ｄＢ，耦合输出光功率大于２ｍＷ，在３Ｖ的反向调制电压下消光比约为１７ｄＢ．我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输实验．经过２４０ｋｍ普通单模光纤传输后，在误码率为１０－１０的情况下功率代价小于０．５ｄＢ．

1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件

本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．

高性能 2.5Gb/s 用的 DFB-LD/EA 单片集成器件

报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ。该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０－１２。

2.5 Gbit/s用DFB-LD/EA单片集成器件

本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ；该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓＤＷＤＭ系统上进行传输试验，传输２４０ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ，ＢＥＲ＝１０－１２。

InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD器件设计考虑及I_P—V曲线二级阶梯状扭折

本文根据雪崩电场和限制隧道电流电场要求出发,设计和估算了InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD器件参数,测量并解释了I_p-V曲线的二级阶梯扭折行为,指出了V_(th)/V_B以1/3左右为宜和与实际测量的M_p比较吻合的经验公式。

同轴型光电器件的研究开发

本文简要地介绍了武汉电信器件公司正在研究开发的同轴型光电器件，新的器件的工艺与结构特点以及主要技术指标、使用前景。

斜端面光纤耦合效率理论与实验研究

应用场耦合方法模拟计算了不同光纤斜端面角度下半导体激光器的耦合效率,并进行了实验测量。结果表明,不同的光纤斜端面角度下,对半导体激光器的耦合效率影响很大,根据不同的芯片参数合理选择不同的斜端面光纤可以得到尽可能高的耦合效率。

监控光带宽对真空蒸镀窄带滤光片的影响

分析了监控光带宽对薄膜淀积时膜厚极值点的影响 ,建立了模拟薄膜实际淀积过程的计算机模拟程序 ,通过对几种窄带滤光片膜系结构的模拟分析 。

固定波长应变量子阱的设计与比较

针对ｌｎＧａＡｓＰ材料，我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大，阱宽越窄，其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大，以及其较大的态密度，使得张应变量子阱的微分增益比压应变和匹配量子阱的大得多如果固定的张应变量只能使第一子带为ＬＨ，第二子带为ＨＨ，则存在一个最优的阱宽，阱宽太小不能消除ＬＨＩ与ＨＨ２的耦合，阱宽太大又会带来ＬＨ３与ＨＨ２的耦合。

极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究

本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法．

两段式DFB半导体激光器波长调谐实验研究

采用国产普通折射率耦合型两段式DFB半导体激光器进行了波长调谐实验研究，实验结果表明，通过分别调节激光器两段的工作电流，不仅可以使器件单模工作，而且还能进行波长调谐。波长调谐范围为6．2nm，连续波长调谐范围为0．9nm。

双偏振双波长混合应变量子阱激光器

本文报道了以混合应变量子阱结构为有源区的激光器。对有源区分别采用体材料、匹配量子阱、压应变量子阱和混合应变量子阱结构的激光器进行了比较。混合应变量子阱激光器能同时工作于两种偏振模式，而且两种偏振模式的激射波长不同。结合实验结果，我们可以看出在混合应变量子阱结构中，从偏振自发辐射谱峰值波长差不能推断两种量子阱的能带填充效应大小。

1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析

本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器，并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈值电流，ＴＭ模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低，ＴＭ模式的斜率效率和总的斜率效率在一定温度范围内随温度升高而升高．测试了不同电流和温度下的偏振激射谱，两种激射谱随电流和温度改变都有很大变化，表明ＴＥ和ＴＭ激射模式之间有强烈的互作用．我们认为可能是由载流子分布与强激光辐射之间的非线性效应引起的．

单量子阱激光器的结构设计与分析

考虑限制层内的载流子，对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时，对载流子（主要是导带电子）分布也有影响。阱宽一定时，对光学限制因子存在最优限制层厚度；而随着限制层厚度的增加，注入到量子阱内的载流子比例减小。小阱宽的量子阱虽然光学限制因子和载流子注入比例都较小，但由于其价带耦合小于宽量子阱，从而具有高的模式增益，说明量子阱的能带结构对其光学特性有决定性的作用。采用其它减小价带耦合的方法，如在阱区引入应变，可进一步提高激光器的性能。

不同反射率半导体激光放大器的增益谱特性

采用传输矩阵方法（ＴＭＭ）对具有不同腔面反射率的半导体激光放大器的特性进行了分析。在相同的注入水平下镀膜后峰值增益波长会产生几十纳米的蓝移。讨论了沿腔面均匀注入和非均匀注入时的增益特性，输出功率较小时没有增益饱和效应，两种条件下增益差别不大；当要求输出功率大时，非均匀注入将优于均匀注入。

混合应变多量子阱波导结构设计

本文从理论上对混合应变量子阱结构（既有张应变量子阱又有压应变量子阱）的光学限制因子进行了讨论。由于垒层宽度较小，其变化量也不大，对光学限制影响相对小一些。当各层的折射率一定时，对称和非对称结构的最佳波导层厚度差不多，限制因子与波导层厚度的关系也类似。在最佳波导层厚度附近的区域，ΓＴＭ／ΓＴＥ比值变化对波导层厚比较敏感，这点可以用于偏振无关放大器的设计中，因为我们能够通过调节波导层厚度改变ＴＭ／ＴＥ模式增益比。

（001）和（111）取向的张应变量子阱光学特性的比较

以（００１）和（１１１）价ｕｔｔｉｎｇｅｒ－Ｋｏｈｎ哈密顿量为基础，讨论了这两种取向的量子阱的能带结构、态密度（ＤＯＳ）、跃迁阵元和增益特性，由于材料结构的各向异性，（１１１）取向的量子阱在平行生长面内有较小的重空穴有效质量，无应变和压类变激光器可以很利用这一点，而（０１）取向的量较小的平面内轻穴有效质量，但并不比（１１１）量子阱的注入下。

用于波分复用系统的新型掺铒光纤放大器

介绍了可用于波分复用系统的增益平坦、宽带放大的新型掺铒光纤放大器 ,文中就其结构、性能和实验结果进行了讨论。对实现掺铒光纤放大器的各种不同技术方案进行了分析 ,提出了适合波分复用系统的掺铒光纤放大器设计思想 。

InGaAsP／InP异质结构材料组分及结构的XPS测定

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构ＭＯＣＶＤ外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用ＸＰＳ组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率，并与光压谱（ＰＶＳ）测定的带隙值和Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率作了比较，比较结果是满意的。实验和分析表明，在研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料表面组分和表面点阵结构方面。

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(英文)

报道了 MOCVD生长的高性能 85 0 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器 .研制出的氧化直径为 9μm的激光器2 5℃时的斜效率和阈值电流分别为 0 .82 m W/m A和 2 .5 9m A,激光器在 2 3m A时输出 16 m W最大光功率 .氧化直径为 5μm的激光器 2 5℃时的最小阈值电流为 5 70μA,其最大饱和光功率为 5 .5 m W.