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用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文) 被引量:12
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作者 姚雨 靳彩霞 +2 位作者 董志江 孙卓 黄素梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期273-277,共5页
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统... 应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。 展开更多
关键词 GAN基发光二极管 铟锡氧化物 表面粗化 自然光刻
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100Im/W照明用LED大功率芯片的产业化研究 被引量:1
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作者 董志江 靳彩霞 +4 位作者 杨新民 艾常涛 何建波 易贤 李鸿建 《现代显示》 2010年第5期196-200,共5页
本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良... 本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。 展开更多
关键词 蓝宝石图形化衬底 发光二极管 发光效率
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