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用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文)
被引量:
12
1
作者
姚雨
靳彩霞
+2 位作者
董志江
孙卓
黄素梅
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期273-277,共5页
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统...
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。
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关键词
GAN基发光二极管
铟锡氧化物
表面粗化
自然光刻
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职称材料
100Im/W照明用LED大功率芯片的产业化研究
被引量:
1
2
作者
董志江
靳彩霞
+4 位作者
杨新民
艾常涛
何建波
易贤
李鸿建
《现代显示》
2010年第5期196-200,共5页
本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良...
本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。
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关键词
蓝宝石图形化衬底
发光二极管
发光效率
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职称材料
题名
用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文)
被引量:
12
1
作者
姚雨
靳彩霞
董志江
孙卓
黄素梅
机构
华东师范大学纳
光电
集成与先进装备教育部工程研究中心
武汉迪源光电科技有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期273-277,共5页
基金
Supported by Foundations of Pujiang Talented Person Plans(No.05PJ14037)
Nanotechnology of Shanghai Municipal Science & Technology Committee(No.0552nm042)
Shanghai-Applied Materials Research and Development fund(No.0519)
文摘
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。
关键词
GAN基发光二极管
铟锡氧化物
表面粗化
自然光刻
Keywords
GaN-based light-emitting diodes
indium-tin oxide
surface textured
naturallithography
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
100Im/W照明用LED大功率芯片的产业化研究
被引量:
1
2
作者
董志江
靳彩霞
杨新民
艾常涛
何建波
易贤
李鸿建
机构
武汉迪源光电科技有限公司
出处
《现代显示》
2010年第5期196-200,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域重大项目“半导体照明工程”资助,课题编号:2008AA03A184.
文摘
本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。
关键词
蓝宝石图形化衬底
发光二极管
发光效率
Keywords
patterned sapphire substrate
LED
extraction efficiency
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文)
姚雨
靳彩霞
董志江
孙卓
黄素梅
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2007
12
下载PDF
职称材料
2
100Im/W照明用LED大功率芯片的产业化研究
董志江
靳彩霞
杨新民
艾常涛
何建波
易贤
李鸿建
《现代显示》
2010
1
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职称材料
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