氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

本文观察和测量了Si_3N_4和SiO_xN_y薄膜在俄歇电子谱(AES)分析中的电子束和离子束效应。结果表明在高束流密度电子束辐照下没有观察到任何损伤特征峰。延长辐照时间仅导致氧的解吸和Si、N讯号增加,最后达到一个稳定态。Si_3N_4和SiO_xN_y对离子辐照很容易造成损伤。但在高束流密度的电子束辐照下离子损伤的表面可以恢复。恢复程度与电子束流密度、束能、辐照时间和样品制备工艺有关。最后,本文对离子辐照损伤和恢复的机理进行了讨论。

硼磷硅玻璃在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

本文研究了硼磷硅玻璃(BPSG)膜在俄歇电子谱(AES)分析中电子束和离子束辐照效应.结果表明,能量电子和离子非常容易引起辐照损伤.电子束辐照会引起还原和脱附效应以及磷硼的表面分凝;离子束辐照仅仅引起还原效应,不会产生磷和硼的表面堆积现象.这说明磷和硼的表面分凝是与低能电子组成的表面负电荷有关.

SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应

在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消失。最后,对这一电子束和离子束效应引起氮界面堆积的产生和消除进行了讨论。

SOI-NMOS场效应晶体管的Kink特性分析

本文研究了在室温(RT)、液氮温度(LN)和液氮温度(LHe)下的SOI-NMOS场效应晶体管的电流—电压特性。研究的器件制作在二氧化硅上的经激光退火后的多晶硅薄膜体上。结果表明室温下带有薄膜引出端的晶体管的I_D—V_D特性曲线的Kink形状和液氦下观测到的N-MOS场效应晶体管的Kink形状很类似。实验还表明Kink大小是液氮下比室温下大、液氦下比液氮下的大。应用电容效应,低温下载流子“冻结”机制和不同偏压下载流子产生和复合的物理过程分析可以相应地解释不同温度下Kink效应。

TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析

TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2/Si在快速热退火后界面反应和产物的结果。