基于模糊解库-中国余数定理的雷达信号载频估计

雷达侦察接收机需要超宽带接收能力以获取高截获概率。受硬件限制,当前基于采样定理的常规接收结构难以进行瞬时超宽带接收。基于中国余数定理的欠采样理论为超宽带侦收提供了一种可行思路,但传统余数定理估计算法要求模值之间互素,信号采样点数也需为模值的最大公约数。为突破上述约束,构造模糊解库并利用余数与频率的一一映射关系,提出基于模糊解库-中国余数定理的雷达信号精确载频估计算法。所提算法不需要同余方程组求解,放宽了对采样频率和采样点数的要求。通过仿真实验,验证算法的有效性。研究结果表明,较传统余数定理算法,所提算法在估计不同雷达信号载频时,无需修改模值,有利于工程应用,同时具有较好的估计精度和抗噪性能。

针对带DFA防护SM4的SIFA攻击

SM4算法作为中国密码管理局(SCA)发布的一项国家标准分组密码算法,当前被广泛应用到国内市场的安全产品中,如金融IC卡、区块链、加密卡、路由器、电子钱包以及电子身份证等.其安全性一直受各业界所关注,随着攻击方法不断的革新,各类带有防护的SM4实现方案也被提出.基于2018年Christoph等人提出的统计无效错误分析(SIFA)的思想,首次针对带差分错误分析(DFA)防护的SM4算法,提出了一套统计无效错误分析攻击方案,该攻击方案能以2^(34)的计算复杂度破解出SM4的密钥.然后,在单片机STM32F103C8T6上利用电压毛刺故障注入成功还原密钥,最后在该攻击的基础上进一步改进,利用选择明文的策略能将计算复杂度降低至2^(12).

用于甚低频无线通信的一种低噪声放大器设计

介绍了一种用于甚低频无线通信中的低噪声放大器的设计。提出了一个由低通跨导与自共源共栅MOSFET形成的新环路,用于稳定放大器的输出偏置电压。该环路配合恒定跨导偏置电路,可使放大器的开环增益保持在40 dB左右,不会受到工艺偏差、电源电压波动和工作温度变化的影响。该放大器中自共源共栅MOSFET作为增益单元,配合全差分电流偏置电路,输出范围可达到轨到轨。此放大器具有高达101.4 dB的带内电源抑制比。当可穿戴设备采用高阻抗电源供电时,电源纹波对输出信号几乎无影响。

基于FPGA的Nandflash存储模块设计

根据随钻测井系统对数据可靠性和存储容量的需求,以“FPGA+Nandflash”为框架定制化设计了一种大容量存储模块,实现了大量测井数据的实时存储。本设计使用Verilog HDL硬件描述语言对FPGA进行硬件编程,实现各种功能接口,数据经采集量化、缓存,实时存储到Nandflash存储器中,并将存储器中的数据通过UART总线下载到PC端作分析、判断。实验结果表明,基于FPGA的Nandflash存储模块的数据出错概率为0.029%,存储容量达32Gbit,下载速率达5Mbps,满足随钻测井系统要求。

“一握即开”活体指纹门锁系统设计与实现

针对市场上指纹锁存在着价格高、功耗高、功能繁复等问题,设计一种操作简单、安全可靠、价格低廉的智能指纹门锁系统,旨在实现“一握即开”功能.该系统由门锁终端系统和WOKI云端控制系统二大部分组成,实现指纹门锁终端“一握即开”,云端远程开锁,以及开锁相关信息的存储、查看及警示等功能.系统摒弃现有智能门锁繁琐的设计结构,降低了设计低成本和系统功耗,可以广泛用于普通家庭.

薄型塑封芯片钝化层损伤的失效分析与改进

针对某薄型塑封产品试制中出现的开、短路问题,通过表面研磨、截面剖切、能谱分析等失效分析手段,确认了塑封料内无机填料颗粒损伤芯片钝化层的缺陷模式。从塑封材料的使用管控、塑封工艺参数改进及塑封料选型等角度对钝化层损伤问题进行了分析与验证。结果表明,合模压力的施加过程是影响芯片钝化层损伤的关键因素,采用215 kN的1段式合模压力设定可有效改善该缺陷,对薄型封装的塑封参数设定及材料选型提供了参考建议。

应用于电容笔的提前出压力方法

电容笔通过蓝牙与主控进行通信是一种很常用的屏笔交互方式。由于主机系统及驱动处理延时原因,一般笔通过蓝牙将压力传输给主机有几十毫秒的延时,此延时会造成主动笔书写首笔漏输出和抬笔拖尾的现象,极大影响书写体验。本文提出在电容笔下行打码中增加指示压力的编码位,有压力时输出编码位;触摸屏实时检测编码位,当检测到编码位从无到有时,提前输出模拟压力,解决首笔延时输出问题;当检测到编码位从有到无时,提前终止压力显示,解决抬笔拖尾问题。

应用于电容笔的双协议切换方法

本文提出一种支持双协议的主动笔应用方案,该方案可以根据不同屏的信号特征自动切换协议,实现单只笔在两个不同协议屏中使用,此方法的应用将有助于推动主动笔应用普及。

电容传感芯片外部坏点的成因与控制

外部坏点造成的不良是电容传感芯片制造过程中良率损失的主要来源之一。由于庞大的市场需求和日趋激烈的竞争,有必要进一步提升产品良率。从电容传感的原理出发,阐释外部坏点与产品实际物理结构之间的联系;按照失效分析的思路介绍了大粒径塑封填料颗粒异常混入、小粒径填料颗粒异常聚集和塑封料基体树脂异常聚集3类造成电容传感芯片外部坏点的典型成因;并借助有效介质理论归纳了相应的物理模型,给出大颗粒或聚集体临界尺寸的计算方法。在此基础上,依据外部坏点的物理表现和临界尺寸的计算结果,从塑封原材料的生产和塑封料的来料检验角度,分别提出了管控方案。根据实施方案前后同型号产品多批次因外部坏点导致的不良品扣料监控数据分析,几类措施均能有针对性地提升产品良率。