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以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文)
1
作者
刘奇斌
林青
+2 位作者
刘卫丽
封松林
宋志棠
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1722-1726,共5页
为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能.对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输...
为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能.对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输出电流的输出特性和温度分布用TCAD仿真软件进行了模拟.模拟结果表明,新结构SOSN的MOSFET器件沟道温度和NDR效益都得到很大的降低,表明SOSN能够有效地克服自加热效应和提高MOSFET漏电流.
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关键词
SI3N4
新结构SOI
自加热效应
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职称材料
题名
以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文)
1
作者
刘奇斌
林青
刘卫丽
封松林
宋志棠
机构
中国
科学
院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜
工程
研究中心
汉城大学电子工程与计算机科学学院
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1722-1726,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302720,2004AA302G20)
上海纳米技术促进中心(批准号:0352nm016)资助项目~~
文摘
为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能.对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输出电流的输出特性和温度分布用TCAD仿真软件进行了模拟.模拟结果表明,新结构SOSN的MOSFET器件沟道温度和NDR效益都得到很大的降低,表明SOSN能够有效地克服自加热效应和提高MOSFET漏电流.
关键词
SI3N4
新结构SOI
自加热效应
Keywords
Si3 N4
new SOI structures
self-heating effects
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文)
刘奇斌
林青
刘卫丽
封松林
宋志棠
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
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