TO-220F封装电子器件的开发与制造

介绍了制造TO-220F封装器件的核心技术,给出了TO-220F封装产品的工艺技术、制造设备的控制要点,解决了TO-220F全包封类型电子器件绝缘性能不稳定的问题。

半导体器件塑封抽真空装置

本文主要介绍一种结构简单,易制作的半导体器件塑封抽真空装置,通过抽真空装置,可使产品在真空工艺条件下成形,提升其成品率。

美国FAIRCHILD公司两种功率场效应晶体管的比较

介绍FAIRCHILD公司的A-FET类和B-FET类功率器件,分析它们的结构、特点及参数的异同,为整机设计用户提供参考。

MOSFET器件引线键合技术

MOSFET器件由于高阻抗、低功耗等特点,在电脑电源、家用电器和自动控制系统等方面得到广泛应用。但由于其芯片结构的特殊性,在封装制造过程中容易受到静电、应力、环境条件等多种因素的影响。引线键合过程是影响封装成品率的关键工艺环节。引线键合是电子工程互连的重要方式,MOSFET器件通常采用超声键合的工艺进行引线互连。影响引线键合质量的因素较多,其中引线键合工艺、引线材料和设备维护是最重要的三个因素。通过实际生产过程的试验、分析和提炼,研究引线键合技术,总结了引线键合工艺、引线材料和设备维护三个方面的实践经验,为提升和稳定封装成品率提供参考。

电子计量称重传感器的国产化及计量秤调整

以德国产利勃海尔混凝土拌合楼的水泥电子计量秤为例,阐述了如何进行称重传感器的国产替代,如何进行电子计量秤的调整及实施步骤。该项目已获得成功,仅一次就节约了10多万元的配件费用。

电子封装工艺及过程管控体系

介绍了华汕电子半导体的产品发展趋势和品质保障体系,着重阐述了三个关键封装工艺中的重要特性的管理方法和注意事项。然后介绍了过程异常及测试成品率管控措施。最后介绍了华汕防静电(ESD)体系。

DE1-SoC开发平台上的图像采集系统设计

本文详细介绍了基于Altera片上系统FPGA的嵌入式系统的设计方法,包括基于Qsys的系统硬件设计和基于片上系统EDS嵌入式软件设计。该设计采用Altera公司提供的soc_training image镜像内核文件,写入外存SD卡中,进行启动Linux操作系统,在QSYS中构建所需的硬件模块,在EDS开发套件平台上编写应用软件程序,最后通过板级验证实现系统功能。该系统通过FPGA的Video-in接口,实现了图像的捕捉功能,并存入到外设SD卡。

基于FPGA的芯片引脚边缘检测系统的设计与实现

目的为了提高芯片封装外观质量检测速度并降低检测成本,基于FPGA开发芯片引脚边缘检测系统。方法根据FPGA并行处理高效率的特点,搭建FPGA+SDRAM高性能硬件处理平台,利用Quartus II软件采用Verilog HDL硬件描述语言编写程序实现对芯片引脚进行边缘检测。结果该平台仅使用FPGA少量的逻辑资源实现对芯片引脚进行有效的边缘检测。结论该检测系统提高了工业应用中芯片引脚边缘检测的效率,同时可应用于ARM、DSP芯片封装外观质量检测。

基于机器视觉的芯片引脚缺陷检测研究

针对芯片引脚人工检测效率低、误检率高、检测系统装置复杂以及检测方法性能低等问题,对芯片引脚种类及缺陷特征方面进行了研究,并对芯片引脚缺陷检测流程进行了分析归纳,提出了一种基于机器视觉的芯片引脚缺陷检测算法,实现了芯片引脚缺陷在线检测。研究结果表明,实验所采用的算法能够准确判断芯片引脚不完整、不共面以及左右偏移缺陷,耗时低,而且准确率高达90%。

色散补偿技术在广东电网光传输网中的应用

根据光纤色散的产生机理,论述了解决色散限制的方法,结合色散补偿技术在广东电网省级光通信传输网中的实现应用,对色散补偿光纤和啁啾光纤光栅两种线性色散补偿技术的优缺点进行了比较。通过现网验证,建议在广东电网省级光通信传输网络中推广应用啁啾光纤光栅色散补偿技术。

铜及不锈钢基材上锡/锡-铅合金电镀层的退除

阐述了电子电镀行业内锡/锡-铅合金镀层退除的实际应用情况,介绍了一个系列的退镀液配方,初步探讨了配方中主要成分的工作原理和应用时需注意的问题,并对缓蚀剂的选择做了进一步的讨论。该配方成本低,退镀速度快,设备简单,废水处理简便。

塑封三极管的温升问题分析

对塑封三极管电路中的温升问题进行了分析,提出了在设计电路地时应注意的事项,指出了在器件设计方面应控制的参数,以及在器件装配上为达到设计控制参数所应采取的措施。

半导体封装中铜引线球焊工艺技术

为了解决半导体封装中黄金引线球焊工艺成本过高的问题,文中提出了一种用铜材料代替黄金材料的铜引线球焊工艺技术。并给出了这种铜引球焊工艺的可焊性和可靠性分析结果。

质量管理中的防错机制

建立和实施防错机制,作为一种质量管理的观念和方法将倍受关注。文中简述了在半导体器件生产管理过程中发生差错的机理和处理方式,提出"防错机制"的概念;并就如何建立"防错机制"进行说明。

新型铜线键合技术

铜线以其良好的电器机械性能和低成本特点已在半导体分立器件的内引线键合工艺中得到广泛应用;但铜线的金属活性和延展性也在键合过程中容易带来新的失效问题。文中对这种失效机理进行了分析。

MOSFET无损封装技术研究

本文主要介绍功率MOSFET器件无损封装的研究。通过对封装过程中可能存在的一些易损伤环节进行了分析,同时根据测试发现不良样品的信息进行了反推解析,确定关键技术攻关问题点。该研究主要通过对MOSFET封装关键制程(划片、上芯、焊线三个环节)的工艺改善及优化,特别是创新的焊线定位装置设计,形成一套新颖有效的工艺流程,提升了MOSFET产品的测试良率。

2.60版13005A晶体管芯片的设计与开发

介绍了缩小13005A高压大功率平面晶体管芯片光刻版图的设计过程。给出了配合现有工艺,将尺寸为2.83×2.83 mm2的13005晶体管芯片编至2.60×2.60mm2的芯片替代方法,并解决了原版图上存在的多种缺陷,提高芯片的成品率,降低了芯片的生产成本。

SOT82封装设备技术改进研究

本文主要讨论如何通过对构的改造,实现其对另一种引线框架的适应性,提高生产设备的利用效率。

热阻测试原理与失效分析

文中通过热阻的测试原理分析和实际案例,分别从热阻测试条件、控制限、上芯空洞、倾斜、芯片内阻等几个方面,全面地阐述对热阻测试结果的影响,并通过数据统计形成图表,较为直观明了,总结出热阻测试失效的各种可能原因。

功率MOSFET的封装失效分析

在半导体器件的生产工艺过程中,MOSFET器件的芯片结构不同于普通晶体管,而且,MOSFET器件对后道装配的要求也较高,文中从生产实际出发,对功率MOSFET器件在测试中出现的不良品进行了分析,并对其失效机理和影响因素进行了探讨,最后提出了相应的改进措施。