Langmuir探针的中毒效应及其抑制

射频辉光放电硅烷等离子体化学汽相沉积是制备氢化非晶硅薄膜的主要工艺技术。探测和控制等离子体参数是选取最佳工艺条件、制备优质薄膜的关键问题。Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针是获得等离子体荷电参数的诊断技术。本文分析了探针诊断技术中的一大难题──中毒效应产生的原因，提出并验证了用加热探针抑制中毒效应的机理。理论分析和实验结果表明，探针被加热升温到２００℃时，其中毒效应完全得到了抑制。