基于PtOEP分子温度探针对OLED结温的判定及实验研究

使用正性光敏聚酰亚胺(PSPI)和光刻技术制备了一系列不同图案化的有机发光二极管(OLED)器件,以铂八乙基卟啉(PtOEP)作为分子温度探针探究不同图案化OLED所产生的热效应,并进一步研究不同热效应对OLED器件的影响。结果表明,像素尺寸在500μm以下时,器件工作中产生的热效应与像素尺寸呈正相关,且与线宽和总开口面积无关;而像素尺寸达到500μm以上时,器件中产生的热效应没有进一步增长。其中5μm孔径的像素在室温10 mA/cm^(2)电流密度下工作时,器件的温度为303.29 K,而相同条件下像素尺寸为2000μm时,器件温度可高达314.65 K;当环境温度升至323.15 K时,器件所产生的热效应呈现相同的趋势。具有不同热效应器件的外量子效率曲线表明,器件温度的升高导致外量子效率降低,其原因是温度升高导致载流子迁移速率加快,但同时也使三线态激子之间及激子与极化子之间的碰撞概率升高,从而加剧激子猝灭,导致效率下降。