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Cu元素对氧化锌压敏电阻性能的影响 被引量:1
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作者 洪俊伟 章来平 +1 位作者 邴绍同 孙丹峰 《电瓷避雷器》 CAS 2008年第5期30-33,37,共5页
通过添加Cu(NO3)2溶液的方式,在中压压敏电阻基础料中引入杂质元素Cu,测试其电性能并分析影响机理。得出:Cu元素在压敏电阻中无论哪种固溶形式,都是以受主态方式对压敏电阻的性能产生影响;随着Cu掺入量的增加,施主浓度Nd减小,但同时也... 通过添加Cu(NO3)2溶液的方式,在中压压敏电阻基础料中引入杂质元素Cu,测试其电性能并分析影响机理。得出:Cu元素在压敏电阻中无论哪种固溶形式,都是以受主态方式对压敏电阻的性能产生影响;随着Cu掺入量的增加,施主浓度Nd减小,但同时也引起晶界界面电子态密度Ns的减少,补偿了施主浓度的减少,从而使φB减少,非线性系数减小;随着Cu掺入量的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,使电压梯度上升,漏电流几乎不变,电容增大,残压比增大,通流能力和耗散能量能力变差;对比基料来讲,添加Cu元素之后漏电流是下降的;建议在生产过程中,Cu掺入量(质量分数)最好不要超过8×10-6,最大不要超过20×10-6。 展开更多
关键词 Cu元素 溶液添加法 压敏电阻 晶粒电阻率
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钾元素对氧化锌压敏电阻电性能的影响
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作者 洪俊伟 章来平 +1 位作者 邴绍同 孙丹峰 《电瓷避雷器》 CAS 2008年第3期17-21,共5页
采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的... 采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少,使其2ms方波脉冲冲击性能提高;随着K掺入量的增加和烧结时间的延长,晶粒尺寸增大,压敏电压梯度减小。 展开更多
关键词 钾元素 溶液添加法 压敏电阻 晶界稳定性 影响机理 液相烧结剂
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应用纳米材料添加剂制备高压高能压敏电阻
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作者 孙丹峰 程黎放 《电子元器件应用》 2001年第1期9-11,共3页
为了解决高压型压敏电阻与高能型压敏电阻应用上的"死区",提出添加纳米材料进行压敏电阻改性实验研究,制得高压高能型压敏电阻,将能大幅度提高电压梯度、非线性系数和能量密度。
关键词 纳米材料 压敏电阻 添加剂
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