基于碳纳米管冷阴极X射线管电子源研究进展

简要介绍了场致发射的原理及其相比于热电子发射的优势,阐述了碳纳米管场发射的性能和基于碳纳米管(CNT)场发射X射线管电子源的典型结构,重点讨论了三极式与二极式碳纳米管冷阴极X射线管电子源的最新研究进展和碳纳米管X射线源的成像技术应用。今后碳纳米管场发射冷阴极取代传统的热阴极应用于X射线管电子源,可制成高时间分辨率、体积小、脉冲响应、能耗低和寿命长的微型X射线管,基于这些优势衍生出的新型X射线成像技术将推动临床医疗、安检和工业检测等领域的技术革新。

无信号内干扰的高效差分混沌键控通信方案

为解决高效差分混沌键控(HE-DCSK)系统判决变量中信号内干扰的不利影响问题,提出一种无信号内干扰的高效差分混沌键控通信方案。该方案通过改变混沌载波的构造方式,确保在相同信息时隙内传输的两路携带不同信息的已调混沌信号严格正交,彻底去除了接收机判决变量中的信号内干扰分量。分析和仿真表明,所提的新系统可以大大改善HE-DCSK系统的误码性能。

单层过渡金属硫化物在复合结构中的磁光效应增强

针对单层过渡金属硫化物(transition metal dichalcogenides,TMDC)绝对磁光效应弱,影响了其在磁光装置中的实际应用的问题,提出了3种由单层TMDC和SiC组成的复合结构,通过传输矩阵法分别计算了它们的法拉第旋转(Faraday rotation,FR)角和透过率。研究结果表明:3种复合结构均能实现磁光性能的改善;相对于单层TMDC与SiC基底组成的双层结构,对称复合结构在工作频率处获得了8倍的FR角增强和0.8的透过率;且复合结构还实现了一定程度的宽频磁光效应增强。通过分析场强分布和仿真结果,证实含多个单层TMDC的复合结构可以同时实现宽频的磁光效应增强和高透过率。

金属层与单层石墨烯准晶体的古斯-汉森位移

针对一般多层光子晶体中的古斯-汉森位移的幅值较小的情况,需要寻找其他类型的结构来增强古斯-汉森位移。通过传输矩阵法探究金属层、介电层和准周期光子晶体所组成的结构的古斯-汉森位移,其中准周期光子晶体是由电介质材料和单层石墨烯以斐波那契数列的方式排列而成。结果表明,该结构的古斯-汉森位移因所激发的金属的等离子体极化激元成功地在指定的工作波长2μm处实现了放大,其峰值可达到入射波长的7330倍。还研究了单层石墨烯的光学参数、介电材料的厚度对位移的影响,证实了改变这些参数可以实现对古斯-汉森位移的调控。