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使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能
被引量:
1
1
作者
何宇亮
施毅
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第B05期192-197,共6页
使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc—Si2H)拥有一系列物性,以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能,探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件...
使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc—Si2H)拥有一系列物性,以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能,探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等。
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关键词
纳米硅薄膜
二极管
硅器件
下载PDF
职称材料
力争促使纳米硅器件进入产业化
2
作者
何宇亮
王树娟
《纳米科技》
2005年第4期2-5,共4页
研究发现纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜是一种具有实用前景的功能半导体材料。在研制成的纳米硅异质结二极管、薄膜太阳能电池以及灵敏传感中已显示出它的优异性能,具有进入产业化的前景和可行性。强调在纳米技术产业化的进程中企业应担负...
研究发现纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜是一种具有实用前景的功能半导体材料。在研制成的纳米硅异质结二极管、薄膜太阳能电池以及灵敏传感中已显示出它的优异性能,具有进入产业化的前景和可行性。强调在纳米技术产业化的进程中企业应担负起重要角色,国家也应给其相应的政策支持。
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关键词
纳米晶体
硅薄膜
产业化
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职称材料
题名
使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能
被引量:
1
1
作者
何宇亮
施毅
机构
南京大学物理系
江苏省纳米材料与器件技术中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第B05期192-197,共6页
文摘
使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc—Si2H)拥有一系列物性,以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能,探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等。
关键词
纳米硅薄膜
二极管
硅器件
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
力争促使纳米硅器件进入产业化
2
作者
何宇亮
王树娟
机构
南京大学物理系
江苏省纳米材料与器件技术中心
出处
《纳米科技》
2005年第4期2-5,共4页
文摘
研究发现纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜是一种具有实用前景的功能半导体材料。在研制成的纳米硅异质结二极管、薄膜太阳能电池以及灵敏传感中已显示出它的优异性能,具有进入产业化的前景和可行性。强调在纳米技术产业化的进程中企业应担负起重要角色,国家也应给其相应的政策支持。
关键词
纳米晶体
硅薄膜
产业化
Keywords
nano-crystallin
silicon films
industricalization
分类号
TB32 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能
何宇亮
施毅
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
下载PDF
职称材料
2
力争促使纳米硅器件进入产业化
何宇亮
王树娟
《纳米科技》
2005
0
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职称材料
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