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射频激发容性耦合等离子体空间的不均匀性实验研究 被引量:2
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作者 邵建国 张杰 +1 位作者 徐海朋 辛煜 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第4期61-65,共5页
使用高分辨的等离子体发射光谱系统(OES)研究了射频驱动的容性耦合Ar等离子体的空间光谱分布特性.实验结果表明,等离子体发射强度的空间分布对压强、频率和放电腔体的结构有很强的依赖关系.边界效应(如电报效应、趋肤效应等)使得等离子... 使用高分辨的等离子体发射光谱系统(OES)研究了射频驱动的容性耦合Ar等离子体的空间光谱分布特性.实验结果表明,等离子体发射强度的空间分布对压强、频率和放电腔体的结构有很强的依赖关系.边界效应(如电报效应、趋肤效应等)使得等离子体发射光谱在电极边缘附近具有强的光谱强度,从而使得200 mm范围内等离子体的不均匀性高于100 mm范围内的情形;驻波效应的存在导致在反应器中心位置出现一个中等强度的谱峰;另外,由于射频波可以在介质板中传播,上极板覆盖有介质情况下的等离子体的不均匀性要高于无介质覆盖的情形. 展开更多
关键词 容性耦合等离子体 发射光谱仪(OES) 趋肤效应 驻波效应
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CHF_3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析 被引量:1
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作者 崔进 刘卉敏 +1 位作者 邓艳红 叶超 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第1期48-51,57,共5页
通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度... 通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度以及传递到SiCOH薄膜表面的能量是决定SiCOH薄膜刻蚀的主要因素,符合Sankaran的碳氟等离子体刻蚀SiO2薄膜模型.在等离子体空间的CF2基团浓度较低、F基团浓度较高时,并且施加给待刻蚀薄膜的偏置功率较高时,SiCOH薄膜表面沉积的C:F薄膜层较薄,有利于等离子体空间的F基团和离子轰击薄膜的能量传递到SiCOH薄膜表面,从而使SiCOH薄膜表面的F、Si反应几率增大,实现SiCOH薄膜的有效刻蚀. 展开更多
关键词 SiCOH薄膜刻蚀 CHF3等离子体 双频电容耦合放电
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O_2流量对O_2/C_4F_8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响
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作者 刘卉敏 周峰 +2 位作者 崔进 邓艳红 叶超 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第2期53-57,共5页
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分... 研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面. 展开更多
关键词 SiCOH薄膜刻蚀 O2/C4F8等离子体 双频电容耦合放电
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频率组合对容性耦合等离子体SiO_2刻蚀的影响 被引量:1
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作者 杨玲 杨磊 辛煜 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第4期53-56,共4页
使用两种频率组合(60 MHz/2 MHz,41 MHz/13.56 MHz)激发产生容性耦合等离子体,通过改变源气体流量比、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀的实验研究.结果表明,两种频率组合中,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大... 使用两种频率组合(60 MHz/2 MHz,41 MHz/13.56 MHz)激发产生容性耦合等离子体,通过改变源气体流量比、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀的实验研究.结果表明,两种频率组合中,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大而单调上升,然而,两种频率组合中SiO2的刻蚀速率随气体流量比的变化呈现出不一样的趋势:在6%流量比时,60 MHz/2 MHz频率组合中SiO2的刻蚀速率达到最小值,而41 MHz/13.56 MHz频率组合中SiO2的刻蚀速率达到最大值;随后60 MHz/2 MHz频率组合的刻蚀速率随着流量比的增加有所增加,而41 MHz/13.56 MHz频率组合的刻蚀速率随着流量比的增加呈现出先增加后减少的趋势,并且在20%之后表现出了沉积效果.60 MHz/2 MHz频率组合的SiO2介质刻蚀后的粗糙度优于41 MHz/13.56 MHz. 展开更多
关键词 电容耦合等离子体 刻蚀 粗糙度
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O_2流量对O_2/C_2F_6等离子体处理的硅油光致发光性能影响
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作者 陈天 钱侬 +1 位作者 袁颖 叶超 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2012年第2期59-63,69,共6页
研究了O2/C2F6等离子体处理的硅油光致发光性能.发光谱覆盖了250~600 nm的光谱范围,由290nm、410 nm、468 nm、481 nm、491 nm和552 nm的6个发光峰组成.O2流量的增大使290 nm、410 nm、552 nm的发光峰增强,468 nm的发光峰强度减弱.光... 研究了O2/C2F6等离子体处理的硅油光致发光性能.发光谱覆盖了250~600 nm的光谱范围,由290nm、410 nm、468 nm、481 nm、491 nm和552 nm的6个发光峰组成.O2流量的增大使290 nm、410 nm、552 nm的发光峰增强,468 nm的发光峰强度减弱.光致发光性能与等离子体作用导致的氧缺乏中心、C悬挂键、Si悬挂键的形成有关. 展开更多
关键词 硅油 光致发光 o2/c2f6等离子体 双频电容耦合放电
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C_2F_6、C_4F_8的双频电容耦合等离子体特性研究
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作者 黄宏伟 钱侬 叶超 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第3期66-72,共7页
采用发射光谱技术,研究了C2F6、C4F8气体的双频电容耦合放电等离子体中F、CF2基团密度以及F/CF2强度比随高频功率、低频功率、放电气压的变化关系.实验结果表明,在双频电容耦合放电等离子体中,高频功率、低频功率、放电气压的改变,使C2F... 采用发射光谱技术,研究了C2F6、C4F8气体的双频电容耦合放电等离子体中F、CF2基团密度以及F/CF2强度比随高频功率、低频功率、放电气压的变化关系.实验结果表明,在双频电容耦合放电等离子体中,高频功率、低频功率、放电气压的改变,使C2F6或C4F8等离子体中出现不同分解过程,这种对气体分解反应的选择性为实现双频等离子体刻蚀薄膜的精确控制提供了可能. 展开更多
关键词 C2F6、C4F8等离子体 双频电容耦合放电 等离子体发射光谱
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分子吸附在各向异性介电核-金属壳层结构附近的表面增强拉曼散射理论研究
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作者 殷一丁 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第2期48-52,共5页
研究了在准静态极限下,各向异性介电核-金属壳层这种特殊核-壳结构的表面增强拉曼散射的特性.首先,基于第一性原理,我们推导出这个带壳纳米球颗粒的多重极化率,然后运用Gersten-Nitzan模型研究了这个结构的表面增强拉曼散射的特性.在本... 研究了在准静态极限下,各向异性介电核-金属壳层这种特殊核-壳结构的表面增强拉曼散射的特性.首先,基于第一性原理,我们推导出这个带壳纳米球颗粒的多重极化率,然后运用Gersten-Nitzan模型研究了这个结构的表面增强拉曼散射的特性.在本文中,我们针对这种各向异性介电核-金属壳层的纳米球颗粒的结构进行理论计算和数值模拟,结果显示,介电核中径向各向异性特性的引入,会对该纳米颗粒的表面增强拉曼散射的峰值起到增强的作用,同时还可以调节体系表面等离共振频率.此外,我们还研究了核的大小对表面增强拉曼散射的意义.我们的研究对于未来探索具有各向异性特性结构的受激拉曼散射很有意义. 展开更多
关键词 纳米球颗粒 核-壳结构 表面增强拉曼散射 各向异性 准静态极限
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